[发明专利]感测放大器在审

专利信息
申请号: 201911009858.3 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN111161764A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 徐宁焄;李东一;权慧贞 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/08;G11C11/4091
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放大器
【说明书】:

提供一种感测放大器。感测放大器被配置为:将存储在存储器单元中的单元电压感测为2位数据的最高有效位(MSB)和最低有效位(LSB)。感测放大器在单元位线与感测放大器的保持位线电断开的状态下感测2位数据的MSB,并且在单元位线电连接到保持位线的状态下感测2位数据的LSB。感测放大器被配置为在感测2位数据的MSB和LSB之前均衡感测放大器的位线对。感测放大器被配置为将与感测的2位数据的MSB和LSB对应的单元电压恢复到存储器单元。

本申请要求于2018年11月7日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0136036号韩国专利申请和于2019年3月12日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0028258号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用完整地包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体存储器装置,更具体地讲,涉及被配置为将存储在存储器单元中的单元电压感测为多位数据的感测放大器,以及包括该感测放大器的存储器装置。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)通过存储在存储器单元的单元电容器中的电荷来写入和读取数据。对DRAM的高容量的增加的需求已经引起了对用于在单个DRAM单元中存储不少于2位的数据(即,多位数据)的多层单元的开发的兴趣。

发明内容

本发明构思提供一种被配置为将存储在存储器单元中的单元电压感测为多位数据的感测放大器以及包括所述感测放大器的存储器装置。

本发明构思的一些方面提供一种感测放大器,包括:至少一个感测放大电路,用于感测与存储在存储器单元中的单元电压对应的2位数据的最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB),将感测的LSB锁存到第一感测位线对,并将感测的MSB锁存到第二感测位线对;以及开关电路,用于选择性地连接存储器单元所连接到的单元位线、第一感测位线对的位线和第二感测位线对的位线。所述感测放大器被配置为在单元位线与所述感测放大器的保持位线电断开的状态下使用存储在保持位线中的电荷来感测所述2位数据的MSB,并且被配置为在单元位线电连接到保持位线的状态下使用存储在单元位线和保持位线中的电荷来感测所述2位数据的LSB。

本发明构思的一些方面提供一种感测放大器,包括至少一个感测放大电路,用于感测与存储在存储器单元中的单元电压对应的2位数据的LSB和MSB,将感测的LSB锁存到第一感测位线对,并将感测的MSB锁存到第二感测位线对;还包括开关电路,连接到存储器单元所连接到的单元位线和所述至少一个感测放大电路,其中,开关电路包括:位线开关,用于选择性地连接单元位线和保持位线;互补位线开关,用于选择性地连接互补位线和互补保持位线;第一开关,用于选择性地连接保持位线和第一感测位线;第二开关,用于选择性地连接互补保持位线和第一互补感测位线;第三开关,用于选择性地连接保持位线和第一互补感测位线;第四开关,用于选择性地连接互补保持位线和第一感测位线;第五开关,用于选择性地连接第一感测位线和第二感测位线;以及第六开关,用于选择性地连接第一互补感测位线和第二互补感测位线。

本发明构思的一些方面提供一种感测放大器,包括:第一感测放大电路,用于感测与存储在存储器单元中的单元电压对应的2位数据的LSB和MSB,将感测的LSB锁存到第一感测位线对,并将感测的MSB锁存到第二感测位线对;以及开关电路,用于选择性地连接第一感测位线对的位线和第二感测位线对的位线。感测放大器被配置为:在感测所述2位数据的MSB之前将第一感测位线对均衡到与提供给感测放大器的电源电压电平的一半对应的预充电电压电平,并且被配置为在感测所述2位数据的LSB之前将第一感测位线对均衡到预充电电压电平。

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