[发明专利]存储器装置及其读操作方法在审

专利信息
申请号: 201911009979.8 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN111090597A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 高正美;金志桓;朴成济 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F12/0866 分类号: G06F12/0866
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 及其 操作方法
【说明书】:

存储器装置及其读操作方法。一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;多个第一偶数页缓冲器,其被设置为从所述多个存储器单元当中的第一偶数编号的存储器单元读取数据,并存储所读取的数据;多个第一奇数页缓冲器,其被设置为从所述多个存储器单元当中的第一奇数编号的存储器单元读取数据,并存储所读取的数据;以及多个第一高速缓存缓冲器,其与第一偶数页缓冲器对应,被设置为存储通过第一公共节点从第一偶数页缓冲器接收的数据;以及多个第二高速缓存缓冲器,其与第一奇数页缓冲器对应,并且被设置为存储通过第一公共节点从第一奇数页缓冲器接收的数据。

技术领域

示例性实施方式涉及存储器装置及其读操作方法,更具体地,涉及一种读操作所需的时间减少的存储器装置。

背景技术

存储器系统应用于用于消费者或工业用途的各种电子装置,例如计算机、移动电话、便携式数字助理(PDA)、数字相机、游戏机和导航装置。存储器系统用作对应电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。实现存储器系统的存储器装置可被分类为:易失性存储器装置,例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态RAM(SRAM);以及非易失性存储器装置,例如只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和闪存。

当电源关闭时,易失性存储器装置无法保留存储在其中的数据。相反,即使当电源关闭时,非易失性存储器装置也可保留存储在其中的数据。具体地,由于闪存具有诸如高编程速度、低功耗和大数据存储的优点,所以其广泛用作计算机系统等中的存储介质。

闪存包括存储数据的存储器单元阵列。存储器单元阵列由多个存储块配置。各个存储块由多个页配置。各个页由共享一条字线的多个存储器单元配置。闪存基于存储块来执行擦除操作,并且基于页来执行读操作或编程操作。

随着闪存的集成度增加,包括在一个页中的存储器单元的数量和各个页的大小逐渐增加。由于这一事实,可不仅存在对单个页执行读操作的情况,而且存在对单个页的一部分(例如,半页)执行部分读操作的情况。因此,已研究了减少部分读操作所需的时间的方法。

发明内容

各种实施方式涉及一种能够将读取的数据存储在页缓冲器中并通过由对应页缓冲器共享的不同节点发送到输入/输出线的存储器装置及其读操作方法。

根据本发明的实施方式,一种存储器装置可包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;页缓冲器电路,其被设置为在半页读操作期间从多个存储器单元当中的偶数编号的存储器单元读取数据,该页缓冲器电路包括存储从偶数编号的存储器单元读取的数据的多个偶数页缓冲器;以及控制电路,其被设置为控制偶数页缓冲器当中的第一偶数页缓冲器和第二偶数页缓冲器通过彼此不同的节点同时发送所存储的数据。

根据本发明的实施方式,一种存储器装置可包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;多个第一偶数页缓冲器,其被设置为从所述多个存储器单元当中的第一偶数编号的存储器单元读取数据,并存储所读取的数据;多个第一奇数页缓冲器,其被设置为从所述多个存储器单元当中的第一奇数编号的存储器单元读取数据,并存储所读取的数据;多个第一高速缓存缓冲器,其与第一偶数页缓冲器对应,并被设置为存储通过第一公共节点从第一偶数页缓冲器接收的数据;以及多个第二高速缓存缓冲器,其与第一奇数页缓冲器对应,并被设置为存储通过第一公共节点从第一奇数页缓冲器接收的数据。

根据本发明的实施方式,一种操作存储器装置的方法可包括以下步骤:在半页读操作期间,通过多条位线当中的偶数位线来读取数据并将所读取的数据存储在偶数页缓冲器中;以及发送存储在偶数页缓冲器当中的第一偶数页缓冲器中的数据,同时发送存储在偶数页缓冲器当中的第二偶数页缓冲器中的数据。

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