[发明专利]一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911010071.9 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729380A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王怀昌;付永启;杨俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 硅复合 光电探测器 空穴 异质结 反应离子刻蚀 光电导探测器 肖特基势垒 光生电子 光刻胶 光响应 硅衬底 沟道 光刻 两层 制备 制造 研究 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将硅衬底在H2中进行高温退火；
S2：使用RF-PECVD在一定压力下在硅衬底上生长石墨烯墙；与此同时，打开射频，设置射频功率；
S3：石墨烯墙生长完成后，将两层光刻胶旋涂到石墨烯墙上，并使用光刻法曝光电极图案；
S4：使用电子束蒸发将Cr和Au膜依次沉积到石墨烯墙上；
S5：通过剥离工艺对器件进行图形化，即将样品依次置于丙酮和AZ400中，以去除用过的两层光刻胶；
S6：对RIE刻蚀机设置射频功率和气体流量对样品进行图行化。
2.采用权利要求1所述制备方法制备的光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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