[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201911010835.4 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111106085A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 文昭渊;沈智慧;蔡昇训 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘奕晴;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;
第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;
金属层,设置在所述第一包封剂上,并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层;以及
连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层,
其中,所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度,并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述金属层的至少一部分设置为在所述半导体芯片在所述连接结构上的堆叠方向上与所述半导体芯片重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一导电层和所述第二导电层利用相同的金属材料形成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述金属层电连接到所述半导体芯片以形成第二重新分布层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述金属层延伸到所述第一包封剂的整个上表面上。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二导电层的上表面具有所述第二表面粗糙度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一包封剂的上表面具有所述第一表面粗糙度。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二导电层为使用所述第一导电层作为种子层形成的电镀层。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
框架,设置在所述连接结构上,并且具有其中设置有所述半导体芯片的第一通孔。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
过孔,穿过所述第一包封剂以使所述金属层连接到所述框架。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述过孔延伸穿过所述第一导电层以接触所述第二导电层。
12.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述框架还具有第二通孔,并且
所述半导体封装件还包括设置在所述第二通孔中的一个或更多个无源组件。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
第二包封剂,覆盖所述一个或更多个无源组件的上表面和侧表面中的每个的至少一部分,并且
其中,所述第一包封剂覆盖所述第二包封剂的上表面。
14.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;
包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;
金属层,设置在所述包封剂上,所述金属层具有延伸以与所述半导体芯片的上部重叠的至少一部分并且具有顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层;
过孔,穿过所述包封剂的一部分并且连接到所述金属层;以及
连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述连接垫的重新分布层,
其中,所述第一导电层的下表面与所述包封剂接触并且沿着所述包封剂的表面具有粗糙度,并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且是平坦的。
15.根据权利要求14所述的半导体封装件,其中,所述第二导电层的上表面的表面粗糙度基本上等于所述第一导电层的上表面的表面粗糙度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911010835.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:降低噪声的燃气涡轮发动机翼型件
- 下一篇:车辆窗户的不透明度