[发明专利]基于气水分布的高演化页岩储层微孔隙吸附气量评价方法有效

专利信息
申请号: 201911010941.2 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110715879B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 周文;徐浩;蒋柯;胡钦红;赵欣;刘瑞崟 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: G01N7/04 分类号: G01N7/04
代理公司: 重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙) 50220 代理人: 吴迪
地址: 610000 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 水分 演化 页岩 微孔 吸附 气量 评价 方法
【权利要求书】:

1.一种基于气水分布的高演化页岩储层微孔隙吸附气量评价方法,其特征在于,提出高演化页岩微孔隙中的气-水分布模型,认为在高演化页岩储层中存在三种含不同流体类型的微孔隙:含气有机质孔隙、具束缚水的无机含气孔隙和含水孔隙,而地层条件下天然气吸附主要产生在有机质孔隙表面,在天然气运移路径上具束缚水的微孔隙表面不具有对气体的吸附性;

具体包括以下步骤:

步骤S10、获取目标区的高演化页岩样品,通过甲烷等温吸附实验及温度、压力校正确定地层条件下高演化页岩样品中所有孔隙表面的总甲烷吸附气量VZD

步骤S20、通过图像分析法确定高演化页岩样品中有机质吸附分数f2

式中:f2为高演化页岩样品中有机质吸附分数;

步骤S30、最后根据上述得到的地层条件下高演化页岩样品中所有孔隙表面的总甲烷吸附气量VZD和高演化页岩样品中有机质吸附分数f2计算得到地层条件下高演化页岩样品中有机质孔隙表面的甲烷吸附气量VOM,其计算公式如下:

VOM=f2·VZD(0<f2<1)

式中:VZD为地层条件下高演化页岩样品中所有孔隙表面的总甲烷吸附气量;f2为高演化页岩样品中有机质吸附分数;VOM为地层条件下高演化页岩样品中有机质孔隙表面的甲烷吸附气量。

2.根据权利要求1所述的一种基于气水分布的高演化页岩储层微孔隙吸附气量评价方法,其特征在于,含气有机质孔隙主要存在于有机质(包括沥青质和干酪根)中,具束缚水的含气无机孔隙主要存在于天然气从有机质中运移出来以后向外运移的路径上,而含水孔隙主要存在于有机质以外、与天然气运移路径不连通的区域。

3.根据权利要求1所述的一种基于气水分布的高演化页岩储层微孔隙吸附气量评价方法,其特征在于,所述步骤S20的具体步骤为:对高演化页岩样品拍取经氩离子抛光后的扫描电子显微镜照片;再对扫描电子显微镜照片进行拼接,然后通过人工圈定的方法分别圈定照片中的有机质孔隙和无机孔隙,从而分别得出有机质孔隙和无机孔隙的数量,计算得到高演化页岩样品中有机质吸附分数f2

4.根据权利要求1所述的一种基于气水分布的高演化页岩储层微孔隙吸附气量评价方法,其特征在于,所述扫描电子显微镜照片为对高演化页岩样品放大30000倍的照片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都理工大学,未经成都理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911010941.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top