[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201911010943.1 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111129079A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 徐右吏;裵寅浚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底;
第一像素,位于所述基底上;
第一数据线,向所述第一像素施加第一数据信号;
第二像素,位于所述基底上,并且与所述第一像素相邻;
第二数据线,向所述第二像素施加第二数据信号;以及
屏蔽层,处于所述第一数据线与所述第二数据线之间,所述屏蔽层包括金属层,
其中,所述第一数据线和所述第二数据线彼此平行并且设置在不同的高度处。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述屏蔽层还包括处于所述金属层上的金属氧化物层。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述金属氧化物层中的金属氧化物是所述金属层中的金属的氧化物。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述金属氧化物层中的氧的浓度从所述金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括处于所述第一数据线与所述第二数据线之间并且分别设置在所述屏蔽层的下部和上部处的第一绝缘层和第二绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一像素和所述第二像素中的每个包括有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管的电路单元,所述有机发光二极管包括像素电极,并且
所述电路单元包括具有电连接到所述像素电极的漏电极的薄膜晶体管,
所述第一数据线与所述漏电极处于同一层上,并且
有机绝缘层位于所述第二数据线与所述像素电极之间。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述像素电极经由处于所述有机绝缘层、所述第二绝缘层、所述屏蔽层和所述第一绝缘层中的接触孔电连接到所述漏电极,并且所述第二绝缘层在所述接触孔的内侧表面处覆盖所述屏蔽层的侧表面和所述第一绝缘层的侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述屏蔽层被公共地设置为一体,以与所述第一像素和所述第二像素对应。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述屏蔽层处于浮置状态。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,位于所述屏蔽层上的所述第二数据线的宽度比位于所述屏蔽层下的所述第一数据线的宽度大。
11.一种显示设备,所述显示设备包括:
像素单元,包括多个像素以及向所述多个像素施加数据信号并且被布置为彼此平行的多条数据线;
数据驱动单元,产生所述数据信号,并且连接到所述多条数据线;以及
屏蔽层,阻挡所述多条数据线之中的两条相邻的数据线之间的信号干扰,位于所述两条相邻的数据线之间,并且被公共地设置为一体以与所述多个像素对应,
其中,所述两条相邻的数据线处于不同的高度。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述屏蔽层包括金属层和位于所述金属层上的金属氧化物层。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述金属氧化物层中的金属氧化物是所述金属层中的金属的氧化物。
14.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述金属氧化物层中的氧的浓度从所述金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
15.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述屏蔽层处于浮置状态。
16.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述多条数据线之中的位于所述屏蔽层的下部处的第一数据线和所述多条数据线之中的位于所述屏蔽层的上部处的第二数据线沿第一方向交替布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的