[发明专利]一种液体分布装置与金属离子过滤器在审
申请号: | 201911011163.9 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN110585759A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 金向华;孙猛;王新喜;李莉 | 申请(专利权)人: | 苏州金宏气体股份有限公司 |
主分类号: | B01D15/14 | 分类号: | B01D15/14;B01D15/10;C07F7/04 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215152 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液体分布装置 过滤器本体 金属离子吸附 液相进口 液体收集板 进液管 液相出口 开孔 过滤器 分布装置 金属离子 流出 | ||
本发明公开了一种金属离子过滤器,包括:过滤器本体;所述过滤器本体的上部设置有液相进口;所述过滤器本体的下部设置有液相出口;所述过滤器本体内设置有液体分布装置;所述液体分布装置位于液相进口的下方;所述液体分布装置包括液体收集板;所述液体收集板上分布有开孔;所述开孔上连接有进液管;所述进液管位于液体分布装置与液相进口之间;所述过滤器本体内设置有金属离子吸附材料;所述金属离子吸附材料位于液相分布装置与液相出口之间。与现有技术相比,本发明在金属离子吸附材料与液相进口之间设置有液体分布装置,液体进入后在液体分布装置的液体收集板上不断累积,再进液管中流出,从而可使液体均匀地通过金属离子吸附材料。
技术领域
本发明涉及超高纯正硅酸乙酯技术领域,特别涉及一种液体分布装置与金属离子过滤器。
背景技术
半导体集成电路产业是目前发展最为迅速的高新技术产业,越来越受到各国的重视,发展速度之快超出了人们的预料,与之相配套的超高纯电子化学品的世界年均增长率保持在8%以上,是化工行业中发展最快的领域。
近年来,我国超高纯电子化学品工业发展与世界同步,发展迅猛,近几年超高纯电子化学品制造业的年均增长率超过了20%,必将成为化工行业中发展速度最快、最具活力的行业之一,也是当今兴起的高技术含量、高投入、高附加值的高新技术产业。并且,超高纯电子化学品是半导体集成电路产业重要的支撑材料之一,其质量的好坏,将直接影响半导体集成电芯片的质量。
正硅酸乙酯(TEOS)作为超高纯电子化学品中重要的一种,主要用于半导体集成电路芯片制造过程中的LPCVD工艺,首先把TEOS从液态蒸发成气态,然后在700℃~750℃,50Pa压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜。
二氧化硅薄膜中微量金属掺杂就会改变其半导体性能,进而影响最终芯片的性能,因此在半导体集成电路芯片生产过程中,要对原料TEOS中的金属离子严格控制。除去金属离子的方法有很多,最简单的可以通过金属离子吸附器除去正硅酸乙酯中的金属离子,但是常用的吸附器中没有液体均匀分布的设置,所以液体物料通过吸附器时,一般只会从吸附器中间通过,不会从靠近吸附器壁处通过,这样吸附材料的利用率会大大降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题为提供一种液体分布装置与金属离子过滤器,该液体分布装置可以使液体物料均地通过吸附器及吸附材料,有效地增大吸附效率。
本发明提供了一种金属离子过滤器,包括:
过滤器本体;
所述过滤器本体的上部设置有液相进口;
所述过滤器本体的下部设置有液相出口;
所述过滤器本体内设置有液体分布装置;所述液体分布装置位于液相进口的下方;所述液体分布装置包括液体收集板;所述液体收集板上分布有开孔;所述开孔上连接有进液管;所述进液管位于液体分布装置与液相进口之间;
所述过滤器本体内设置有金属离子吸附材料;所述金属离子吸附材料位于液体分布装置与液相出口之间。
优选的,还包括液相接收装置;所述液相接收装置的边沿设置有小孔;所述液相接收装置位于液相进口与液体分布装置之间,且液体分布装置相对于液相接收装置设置于小孔的位置没有开孔。
优选的,所述液体分布装置上开孔呈同圆心形排列。
优选的,还包括支撑装置;所述支撑装置位于液相出口的上方,用于支撑金属离子吸附材料。
优选的,还包括测温装置;所述测温装置位于金属离子过滤器设置有金属离子吸附材料的位置。
优选的,所述进液管的上部设置有进液孔。
本发明还提供了一种液体分布装置,包括液体收集板;所述液体收集板上分布有开孔;所述开孔上连接有进液管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州金宏气体股份有限公司,未经苏州金宏气体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911011163.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。