[发明专利]基于氧化镍/β-三氧化二镓异质结的紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.基于NiO/β-Ga₂O₃异质结的紫外探测器，其特征在于从下至上依次是衬底、阳极层、p-NiO薄膜层、n-β-Ga₂O₃薄膜层，以及阴极层；衬底和阳极层构成ITO玻璃衬底、阴极层为Al电极；该探测器的制备方法具体如下：

S1，清洁衬底：衬底清洗，干燥，以去除表面污垢，增加薄膜的均匀性和附着性；

S2，p-NiO薄膜层溅射：衬底放入磁控溅射设备中，待真空度抽至低于8.0×10^-4Pa后，设定溅射压强为0.4-0.6Pa，溅射功率为200W，预溅射5min后计时溅射55-65min，制备p-NiO薄膜层，薄膜厚度80-120nm；

S3，n-β-Ga₂O₃薄膜层溅射：按S3步骤溅射操作，设定溅射压强为0.6-0.8Pa，溅射功率为200W，溅射时间为55-65min，制备n-β-Ga₂O₃薄膜层，薄膜厚度70-110nm；

S4，蒸镀阴极层：在n-β-Ga₂O₃表面使用掩模板蒸镀阴极层。