[发明专利]带隙可调的锡氧化物薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201911011269.9 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110739221B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 唐利斌;项金钟;王方;王茺;姬荣斌 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/032;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可调 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.带隙可调的锡氧化物薄膜制备方法，包括湿法清洗、射频磁控溅射、退火步骤，其特征在于具体步骤包括：
S1，湿法清洗，将衬底放入双氧水、氨水、去离子水按1:1:3体积比配比的混合溶液中，在80℃温度下，恒温加热30min，用去离子水清洗，吹干；
S2，射频磁控溅射，将衬底放入磁控溅射设备中，在设备真空度到达6.0×10-4 pa以下时，分别在8%、10%的氧分压下，进行溅射薄膜；
其中，氧分压=氧气气体流量/氧气和氩气总气体流量；
S3，退火，退火在大气气氛下进行，退火温度为250-300℃，退火时间为30-60 min；
10%的氧分压下，获得锡氧化物薄膜,按质量混合相的氧化锡：氧化亚锡为3：7；
8%的氧分压下，获得锡氧化物薄膜,按质量混合相的氧化锡：氧化亚锡为1：4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所，未经昆明物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911011269.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：N型半导体器件及其制造方法
- 下一篇：电子装置和半导体封装结构的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
