[发明专利]具有接合线的堆叠管芯及方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一管芯；

第二管芯，通过第一粘合层附接至所述第一管芯；

第三管芯，附接至所述第二管芯并位于所述第二管芯的与所述第一管芯相对的一侧；

第一接合线，将所述第三管芯电连接至所述第一管芯；

第二接合线，将所述第二管芯电连接至所述第一管芯；

第三接合线，将所述第三管芯电连接至所述第二管芯，其中所述第一接合线和所述第三接合线分别连接至所述第三管芯上的不同的接触焊盘；

密封剂，密封所述第二管芯和所述第三管芯并与所述第一管芯的第一表面物理接触；以及

第一外部连接件，在所述密封剂中延伸并与所述第三管芯电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外部连接件设置在所述密封剂的表面上并且与所述第一外部连接件物理接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三管芯通过第二粘合层附接至所述第二管芯。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，其中一个所述第二接合线和其中一个所述第三接合线分别连接至同一个所述第二管芯的焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯为面对背结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外部连接件形成为铜柱。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯和所述第三管芯为面对背结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯的保护层与所述密封剂物理接触，并且所述第一接合线和所述第三接合线连接至从所述保护层中暴露的第一接触焊盘。

9.一种半导体器件，包括：

第一管芯，所述第一管芯还包括：

半导体衬底；和

衬底通孔，延伸穿过所述半导体衬底；

第二管芯，附接至所述第一管芯，所述第二管芯的宽度小于所述第一管芯的宽度，其中所述第二管芯面向所述第一管芯的一侧完全被粘合层覆盖；

接合线，电连接所述第一管芯和所述第二管芯，所述接合线电连接至所述衬底通孔；

密封剂，密封所述第一管芯并与所述第一管芯的第一侧物理接触；

接触焊盘，将一条所述接合线电连接至一个所述衬底通孔，所述接触焊盘位于所述衬底通孔上方并与所述衬底通孔直接接触，所述衬底通孔是导电的；以及

再分布层，电连接至并且围绕所述衬底通孔，所述再分布层位于所述半导体衬底的第一侧上，并且所述第一管芯位于所述半导体衬底的所述第一侧上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述密封剂具有第一侧壁，所述第一管芯具有第二侧壁，并且所述第一侧壁与所述第二侧壁共面。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：金属化层，位于所述半导体衬底的第二侧上，所述金属化层电连接至所述衬底通孔。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：球珊阵列，与所述金属化层电连接。