[发明专利]一种光转换材料快速沉降的COB封装方法及COB器件有效

专利信息
申请号: 201911012046.4 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110931472B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 陈智波;苏佳槟 申请(专利权)人: 硅能光电半导体(广州)有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 贺红星
地址: 510000 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 转换 材料 快速 沉降 cob 封装 方法 器件
【权利要求书】:

1.一种光转换材料快速沉降的COB封装方法,其特征在于,方法包括:

S1、将LED芯片(2)按设计固定在LED载体(1)上,LED芯片(2)通过键合线(3)电气连接:

S2、将有机硅胶(6)倒入光转换材料(5),持续搅拌3min~10min获得均匀的光转换材料(5)和硅胶(6)的混合物,然后将混合物倒进点涂设备的腔体内;

S3、将光转换材料(5)和硅胶(6)的混合物均匀涂覆在LED芯片(2)上,混合物涂覆层的高度低于阻挡墙(4)的高度;

S4、将LED载体(1)转移至水平平台上静置3min~5min;

S5、将稀释剂(7)倒入点涂设备的腔体内,腔体按预先设计的行走路径将稀释剂(7)涂覆在光转换材料(5)和硅胶(6)混合物的上面;

S6、将LED载体(1)移至水平平台上静置3min~10min,并且所述水平平台处于密闭的抽风柜里,静置时同时开启抽风;

S7:将LED载体(1)转移至烤箱平台,以100℃~180℃烘烤2h±30min,自然静置冷却后获得COB器件。

2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S2中所述光转换材料(5)和硅胶(6)的混合物粘度范围是5000cps~8000cps。

3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S2中,在光转换材料(5)里添加抗沉淀粉,抗沉淀粉的质量分数为0.5%wt~3%wt。

4.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于:所述抗沉淀粉是二氧化硅或三氧化二铝,所述抗沉淀粉的其粒径是纳米级或微米级。

5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S4中,所述水平平台的水平度为90°±0.5°,以防止光转换材料(5)在静置过程中向一边倾斜。

6.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S5中,所述稀释剂(7)是二甲苯、甲醇、乙醇、丙醇或丁醇。

7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S5中,所述行走路径是“之”字型或者圆型,使稀释剂(7)均匀涂覆光转换材料(5)和硅胶(6)混合物的上面。

8.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在步骤S7中,所述烤箱平台的水平度为90°±0.5°,防止光转换材料(5)在烘烤过程中向一边倾斜。

9.一种根据权利要求1-8任一项所述的方法制取的COB器件,包括LED载体(1)、LED芯片(2)、阻挡墙(4)、光转换材料(5)和硅胶(6),多个所述LED芯片(2)通过键合线(3)连通并设置在所述LED载体(1)上,在所述LED载体(1)上方设置所述阻挡墙(4),所述阻挡墙(4)将所述LED芯片(2)和键合线(3)包围,并在所述阻挡墙(4)围绕的腔体内填充所述光转换材料(5)和硅胶(6)的混合物,其特征在于:在所述光转换材料(5)内还添加有抗沉淀粉,在所述光转换材料(5)和硅胶(6)的混合物上涂覆稀释剂(7),从而使得光转换材料(5)内的光转换颗粒沉降并包覆至所述LED芯片(2)和键合线(3)上。

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