[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
申请号: | 201911012118.5 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111223888A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | H·姜 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
在所述基板上的像素电路,所述像素电路包括:
栅电极;
漏电极;以及
源电极;
在所述基板上的垂直LED元件,所述垂直LED元件包括:
第一电极;
所述第一电极下方的有源层;以及
所述有源层下方的第二电极;
围绕所述垂直LED元件的封装膜,所述封装膜暴露所述第二电极的侧部的一部分;
电连接至所述第一电极的第一连接电极;以及
电连接至所述第二电极的第二连接电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二连接电极经由所述第二电极的所述侧部的所暴露的部分电连接至所述第二电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二连接电极被配置成在所述第二电极的所述侧部的所暴露的部分处密封所述第二电极。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述封装膜完全地围绕所述第一电极和所述有源层并且至少部分地围绕所述第二电极。
5.根据权利要求2所述的显示装置,还包括在所述基板与包括所述第二连接电极的所述垂直LED元件之间的粘结构件。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
在与所述栅电极相同层上的公共电力线;以及
在所述像素电路上的保护层,
其中,所述第二连接电极经由贯穿所述保护层和所述粘结构件的至少一个接触孔电连接至所述公共电力线。
7.根据权利要求6所述的显示装置,还包括:
在所述粘结构件上的围绕所述垂直LED元件的第一绝缘层;以及
在所述第一绝缘层上的第二绝缘层,
其中,所述第二绝缘层部分地或完全地暴露所述垂直LED元件的顶表面。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一连接电极经由贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述粘结构件的一个或更多个接触孔电连接至所述像素电路。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层覆盖所述第二连接电极和所述第一绝缘层。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述垂直LED元件还包括与所述第一电极欧姆接触的辅助电极;并且
所述封装膜覆盖所述辅助电极的至少一部分。
11.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
提供包括像素电路的基板;
将垂直LED元件转移到包括所述像素电路的所述基板;
在所述垂直LED元件上提供第二连接电极;
在所述第二连接电极上提供绝缘层;以及
在所述绝缘层上提供第一连接电极,
其中,所述第一连接电极位于所述垂直LED元件的顶表面上,并电接触所述垂直LED元件的所述顶表面,以及
其中,所述第二连接电极位于所述垂直LED元件的下部的侧部的暴露部分上,并电接触所述垂直LED元件的下部的所述侧部的暴露部分。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述提供所述绝缘层包括:
在所述第二连接电极上提供第一绝缘层;以及
在所述第一绝缘层上提供第二绝缘层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,提供所述第一绝缘层包括:
沉积所述第一绝缘层;
图案化在所述第一绝缘层上的光致抗蚀剂;
蚀刻所述第一绝缘层,以至少部分地暴露所述垂直LED元件和所述第二连接电极;以及
剥离所述光致抗蚀剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的