[发明专利]载置台装置和处理装置在审
申请号: | 201911012343.9 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111101109A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 中川西学;铃木直行;居本伸二;横原宏行;山形基;前田幸治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50;C23C14/54;C23C14/34;C23C14/16;H01L43/12;H01L21/687 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 装置 处理 | ||
本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备:载置台,其在真空容器内保持被处理基板;冷冻传导体,其以与载置台隔着间隙的方式固定配置于载置台的背面侧,被冷冻机冷却成极低温;冷却流体,其向间隙供给,用于将冷冻传导体的冷能向载置台传导;载置台支承部,其将载置台支承成能够旋转,呈覆盖冷冻传导体的上部的圆筒状,并且具有真空绝热构造;以及旋转部,其支承载置台支承部,在被磁性流体密封着的状态下被驱动机构驱动而旋转。
技术领域
本公开涉及一种载置台装置和处理装置。
背景技术
作为半导体基板等基板的处理装置例如成膜装置,存在需要极低温的处理。例如,为了获得具有较高的磁阻比的磁阻元件,公知有在超高真空且极低温的环境下对磁性膜进行成膜的技术。
作为在极低温下对基板进行处理的技术,在专利文献1中记载有如下技术:在利用冷却处理装置将基板冷却到极低温之后,利用单独设置的成膜装置以极低温针对冷却后的基板对磁性膜进行成膜。
另外,在专利文献2中记载有如下技术:在真空室内设置有被冷冻机冷却的冷却头,将作为支承基板的支承体的冷却载置台固定于冷却头,在冷却载置台上将基板冷却成极低温,并且进行薄膜形成处理。
专利文献1:日本特开2015-226010号公报
专利文献2:日本特开2006-73608号公报
发明内容
本公开提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。
本公开的一技术方案的载置台装置具备:载置台,其在真空容器内保持被处理基板;冷冻传导体,其以与所述载置台隔着间隙的方式固定配置与所述载置台的背面侧,被冷冻机冷却成极低温;冷却流体,其向所述间隙供给,用于将所述冷冻传导体的冷能向所述载置台传导;载置台支承部,其将所述载置台支承成能够旋转,呈覆盖所述冷冻传导体的上部的圆筒状,并且具有真空绝热构造;以及旋转部,其支承所述载置台支承部,在被磁性流体密封着的状态下被驱动机构驱动而旋转。
根据本公开,能够提供能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。
附图说明
图1是表示具备一实施方式的载置台装置的处理装置的一个例子的概略剖视图。
图2是表示一实施方式的载置台装置中的梳齿部的形状的另一个例子的概略图。
图3A是表示设置使冷冻传导体升降而使第1传导部和第2传导部接触、分离的接触机构的例子的图,表示第1传导部和第2传导部分离后的状态。
图3B是表示设置使冷冻传导体升降而使第1传导部和第2传导部接触、分离的接触分离机构的例子的图,表示第1传导部和第2传导部接触后的状态。
图4A是表示在第1传导部与第2传导部之间设置环状的双金属构件而设置使第1传导部和第2传导部接触、分离的接触分离机构的例子的图,表示第1传导部和第2传导部分离后的状态。
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