[发明专利]耐大压降和大纹波电流电容

权利要求书

1.耐大压降和大纹波电流电容，包括化成箔，其特征在于：所述化成箔包括正箔与负箔，所述正箔的制备工艺包括以下步骤：

S1.采用中高压腐蚀铝箔，并对中高压腐蚀铝箔进行前处理；所述S1中的前处理过程为：将中高压腐蚀铝箔置于500-550℃下加热3-5min，再将中高压腐蚀铝箔置于浓度为1-4%的草酸溶液中浸泡5-15min；

S2.使用化成液对中高压腐蚀铝箔进行三级化成处理，化成液温度＜60℃，化成电压为1-250V，每级化成时间为2-15min，每级电流密度为1-5A/m²；

S3.将三级化成箔放入75-85℃纯水中进行煮沸处理，煮沸时间为5-10min；

S4.重复S2步骤对三级化成箔进行五级化成处理；

S5.对五级化成箔进行后处理，制得初成品；

S6.使用纯水对初成品进行喷淋清洗后置于烘箱烘干，制得正箔成品。

2.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述中高压腐蚀铝箔的制备方法为：先将光箔置于腐蚀液中进行直流电腐蚀处理，腐蚀温度为70-80℃，腐蚀时间为450-550s，所述腐蚀液按质量分数包括以下组分：70-80%的磷酸溶液、3-6%的醋酸溶液、2-7%的硝酸溶液以及0.2%-1%的聚天冬氨酸溶液，余量为水。

3.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述中高压腐蚀铝箔的厚度为75-120um。

4.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述草酸溶液的温度＜40℃。

5.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述S2以及所述S4中的化成液均为五硼酸铵溶液或硼酸溶液或两者的混合液。

6.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述S5中的后处理过程为：将五级化成箔置于浓度为2-6%的柠檬酸铵溶液中浸泡3-10min。

7.根据权利要求6所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述柠檬酸铵溶液的温度为25-45℃。

8.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述负箔的制备方法为：将光箔通过频率为10-20Hz的交流电腐蚀处理后再进行化成处理，化成电压为1-50V。

9.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：采用4层箔8层纸的双电容并联结构制成。