[发明专利]一种LED芯片、显示屏模组及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

N型半导体层；

发光层，位于所述N型半导体层上方；

P型半导体层，位于所述发光层上方；

台阶，贯穿所述P型半导体层及所述发光层，并暴露出所述N型半导体层的部分表面；

第一外层电极，位于所述P型半导体层上方，并与所述P型半导体层电连接，所述第一外层电极包括第一Sn/In/Au叠层结构，且Au层位于最外层；

第二外层电极，位于所述N型半导体层被所述台阶暴露的表面上方，并与所述N型半导体层电连接，所述第二外层电极包括第二Sn/In/Au叠层结构，且Au层位于最外层；

其中，所述第一Sn/In/Au叠层结构中，Au层的厚度范围是0.02～0.15μm；所述第二Sn/In/Au叠层结构中，Au层的厚度范围是0.02～0.15μm；所述第一Sn/In/Au叠层结构与所述第二Sn/In/Au叠层结构用于激光固晶。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一Sn/In/Au叠层结构中，Sn层的厚度范围是0.6～2μm，In层的厚度范围是0.2～0.6μm；所述第二Sn/In/Au叠层结构中，Sn层的厚度范围是0.6～2μm，In层的厚度范围是0.2～0.6μm。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一外层电极与所述第二外层电极的顶面齐平。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片包括mini LED芯片。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述N型半导体层包括N型氮化镓层，所述P型半导体层包括P型氮化镓层，所述发光层包括量子阱超晶格层。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括衬底、位于所述衬底上的缓冲层及位于所述缓冲层上的非掺杂层，所述N型半导体层位于所述非掺杂层上。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述非掺杂层包括非掺杂氮化镓层，所述缓冲层包括AlN缓冲层及氮化镓缓冲层中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述发光层与所述P型半导体层之间。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述P型半导体层与所述第一外层电极之间。

10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括第一底电极层及第二底电极层，所述第一底电极层位于所述透明导电层与所述第一外层电极之间，所述第二底电极层位于所述N型半导体层与所述第二外层电极之间。

11.根据权利要求10所述的LED芯片，其特征在于：所述第一底电极层与所述第二底电极层的顶面齐平。

12.根据权利要求10所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括外围台阶、布拉格反射层及位于所述N型半导体层下方的衬底，所述外围台阶呈环状且贯穿所述P型半导体层、所述发光层及所述N型半导体层，并暴露出所述衬底的部分表面，所述布拉格反射层覆盖所述透明导电层及所述P型半导体层未被所述透明导电层遮盖的表面，并填充进所述台阶及所述外围台阶，所述布拉格反射层中设有第一通孔与第二通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述第一底电极层的部分表面，所述第二通孔的底部暴露出所述第二底电极层的部分表面，所述第一外层电极还包括位于所述第一通孔中的第一过渡部，所述第一Sn/In/Au叠层结构位于所述布拉格反射层上方，并与所述第一过渡部连接，所述第二外层电极还包括位于所述第二通孔中的第二过渡部，所述第二Sn/In/Au叠层结构位于所述布拉格反射层上方，并与所述第二过渡部连接。