[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积第一金属层，通过第一次光刻，使所述第一金属层形成位于第一区域的第一栅极；

沉积缓冲层和金属氧化物半导体层，通过第二次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于所述第一区域的第一半导体层；

沉积非晶硅层，进行一次高温退火工艺，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第三次光刻，使所述多晶硅层形成位于第二区域的第二半导体层，并使所述多晶硅层形成位于所述第一半导体层上的源漏金属隔离层；

依次沉积绝缘层和第二金属层，通过第四次光刻，使所述第二金属层形成位于所述第二区域的第二栅极；

沉积第一金属氧化物保护层，通过第五次光刻，在所述绝缘层和所述第一金属氧化物保护层上形成多个过孔；

沉积第三金属层，通过第六次光刻，使所述第三金属层形成位于所述第一区域的第一源极、第一漏极以及位于所述第二区域的第二源极、第二漏极，并使所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述过孔与所述第二半导体层连通。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

沉积第二金属氧化物保护层，通过第七次光刻，在所述第二金属氧化物保护层上形成接触过孔；

沉积透明导电层，通过第八次光刻，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极通过所述接触过孔与所述第一漏极连通。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沉积缓冲层具体包括：

依次沉积第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层为氮化硅，所述第二缓冲层为氧化硅，再进行一次高温退火工艺以减少所述第二缓冲层中的氢含量。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为所述第二缓冲层的厚度为

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次光刻还包括：使所述第一金属层形成位于所述第二区域的遮光层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二源极和所述第二漏极在所述衬底基板上的投影，位于所述遮光层在所述衬底基板上的投影范围内。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高温退火工艺包括准分子激光退火工艺。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高温退火工艺包括使用快速退火炉在600℃以上的温度退火。

9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作而成，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；

所述第一薄膜晶体管包括依次设置的第一栅极、缓冲层、第一半导体层、绝缘层、第一金属氧化物保护层和源漏金属隔离层，第一源极和第一漏极设置在所述源漏金属隔离层上，所述绝缘层和所述第一金属氧化物保护层上设置有多个过孔，所述第一源极和所述第一漏极通过所述过孔与所述第一半导体层连通；

所述第二薄膜晶体管包括依次设置的第二半导体层、所述绝缘层、第二栅极和所述第一金属氧化物保护层，第二源极和第二漏极设置在所述第一金属氧化物保护层上，所述第二半导体层位于所述第二区域且覆盖在所述缓冲层上，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述过孔与所述第二半导体层连通；

所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层和所述源漏金属隔离层为多晶硅层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。