[发明专利]一种C包覆SiO-SnSiO4 有效
申请号: | 201911013347.9 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN110797516B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 许家齐;梁栋栋;林少雄;王辉;陈炜 | 申请(专利权)人: | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 汪贵艳 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sio snsio base sub | ||
1.一种碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)将SiO、SnO2、纳米硅放入球磨机中,加入分散剂后进行球磨处理,得到的混合物经过喷雾干燥后,得到SiO-SnO2-Si混合物;
(2)将SiO-SnO2-Si混合物放入管式炉中,在惰性气氛中进行高温煅烧,冷却后得到SiO-SnSiO4-Si超粒子;所述高温煅烧的温度为600~1200℃;
(3)往管式炉中通入氮气乙炔混合气氛,进行碳包覆处理,自然冷却后得到碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述SiO、SnO2、纳米硅的质量比为(30~60):(30~50):(5~15);所述分散剂为无水乙醇。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述SiO使用前经过气流粉碎机进行二次粉碎处理,SiO的D50=4~5um,D101.5 um。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述气流粉碎机的粉碎频率为30~35Hz。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述喷雾干燥的温度为120~200℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述高温煅烧的时间为1~3h。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述碳包覆处理的温度为750~950℃,时间为1~3h;所述氮气乙炔混合气氛中乙炔的体积占比为40%~50%。
8.如根据权利要求1-7任一所述的制备方法制得的碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料。
9.根据权利要求8所述的碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料在锂离子电池中的应用。
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