[发明专利]一种C包覆SiO-SnSiO4有效

专利信息
申请号: 201911013347.9 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110797516B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 许家齐;梁栋栋;林少雄;王辉;陈炜 申请(专利权)人: 合肥国轩高科动力能源有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 汪贵艳
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 sio snsio base sub
【权利要求书】:

1.一种碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)将SiO、SnO2、纳米硅放入球磨机中,加入分散剂后进行球磨处理,得到的混合物经过喷雾干燥后,得到SiO-SnO2-Si混合物;

(2)将SiO-SnO2-Si混合物放入管式炉中,在惰性气氛中进行高温煅烧,冷却后得到SiO-SnSiO4-Si超粒子;所述高温煅烧的温度为600~1200℃;

(3)往管式炉中通入氮气乙炔混合气氛,进行碳包覆处理,自然冷却后得到碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述SiO、SnO2、纳米硅的质量比为(30~60):(30~50):(5~15);所述分散剂为无水乙醇。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述SiO使用前经过气流粉碎机进行二次粉碎处理,SiO的D50=4~5um,D101.5 um。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述气流粉碎机的粉碎频率为30~35Hz。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述喷雾干燥的温度为120~200℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述高温煅烧的时间为1~3h。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述碳包覆处理的温度为750~950℃,时间为1~3h;所述氮气乙炔混合气氛中乙炔的体积占比为40%~50%。

8.如根据权利要求1-7任一所述的制备方法制得的碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料。

9.根据权利要求8所述的碳包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料在锂离子电池中的应用。

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