[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上间隔形成第一栅极和遮光图形，其中，所述第一栅极位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；

在所述第一栅极和所述遮光图形上沉积至少一层缓冲层，并在所述缓冲层上形成位于所述第一栅极上方的金属氧化物半导体图形、和位于所述遮光图形上方的低温多晶硅半导体图形；

在所述金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在所述低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；

在所述第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与所述金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与所述低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上形成位于所述第一栅极上方的金属氧化物半导体图形、和位于所述遮光图形上方的低温多晶硅半导体图形，具体包括：

在形成有金属氧化物半导体图形的缓冲层上沉积非晶硅膜；

利用退火工艺将所述非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成所述低温多晶硅半导体图形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上形成位于所述第一栅极上方的金属氧化物半导体图形、和位于所述遮光图形上方的低温多晶硅半导体图形，具体包括：

在形成有金属氧化物半导体图形的缓冲层上沉积氧化硅膜，并在所述氧化硅膜上沉积非晶硅膜；

利用退火工艺将所述非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成所述低温多晶硅半导体图形。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述至少一个缓冲层中，最靠近所述金属氧化物图形的第一缓冲层为氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述第一缓冲层后，对所述第一缓冲进行退火工艺。

6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述金属氧化物保护层上形成第一漏极、第一源极、第二漏极、第二源极之后还包括：

在所述第一漏极、第一源极、第二漏极、第二源极上沉积钝化层，并通过光刻工艺在所述钝化层上位于所述第一漏极上方的区域形成导电过孔；

在形成有导电过孔的钝化层上沉积透明导电层，并通过光刻工艺形成像素电极，并使所述像素电极经由所述导电过孔和所述第一漏极电连接。

7.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述遮光图形位于与阵列基板的非显示区域对应的区域内。

8.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的制造方法制造而成。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板或者为有机发光二极管显示面板。