[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；

在所述衬底基板和所述栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层形成有源岛并使所述源漏金属层形成源极和漏极，并在所述源极和所述漏极之间形成沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；

在所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；

在所述钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极电连通；

在所述钝化层上涂覆遮光层，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层上涂覆遮光层之后，通过第五次光刻工艺，使所述遮光层形成主间隔物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层上涂覆遮光层时，在栅极线对应的所述像素电极上涂覆遮光层；

通过第五次光刻工艺，使所述沟槽区对应的所述遮光层形成子间隔物，所述栅极线对应的所述遮光层形成主间隔物。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺具体包括：

通过掩膜板曝光显影，形成完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于所述源极和所述漏极之间的沟槽区；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域的所述源漏金属层、所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层；

进行一次光刻灰化工艺，去除掉部分透光区域的光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域内的所述源漏金属层、以及刻蚀阻挡层，以形成所述源极、所述漏极以及所述沟槽区。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次刻蚀包括：

通过控制刻蚀工艺，将位于所述部分透光区域内的所述刻蚀阻挡层全部刻蚀，以形成所述沟槽区。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺还包括：

在完成所述第二次刻蚀后，使用N₂O对所述沟槽区内的所述金属氧化物层进行表面钝化处理。

7.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为抗酸性刻蚀液腐蚀的金属氧化物半导体层。

8.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度的2-10倍；

所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度为

9.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述遮光层的成型材料为黑矩阵的成型材料，包括不透光的金属材料或不透光的有机材料。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过上述权利要求1-9任一所述的阵列基板的制造方法制作而成；

所述阵列基板包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层、源极、漏极、钝化层、像素电极和遮光层；

所述栅极位于所述衬底基板上方，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板上方，所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层依次设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极对应，所述源极和所述漏极分别设置在所述刻蚀阻挡层上，所述源极和所述漏极之间具有沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层，所述钝化层覆盖在所述栅极绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述沟槽区上，且位于所述漏极上方的所述钝化层上具有导电过孔，所述像素电极位于所述钝化层上，且所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极连通，所述遮光层位于所述钝化层上，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。