[发明专利]一种功率放大器及电子设备有效
申请号: | 201911014056.1 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN110719077B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 苏强;李平 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李昂;张颖玲 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率放大器 电子设备 | ||
本发明实施例适用于电路技术领域,提供了一种功率放大器及电子设备,其中,所述功率放大器包括:功率放大电路和线性度补偿电路;所述线性度补偿电路连接在所述功率放大电路的偏置电路与晶体管放大电路之间,用于对所述功率放大电路的非线性失真进行线性补偿。
技术领域
本发明属于电路技术领域,尤其涉及一种功率放大器及电子设备。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展,射频功率放大器在无线通信系统中的作用越来越重要。射频功率放大器用于将收发信机输出的已调制射频信号进行功率放大,以满足无线通信所需的射频信号的功率要求。随着第五代移动通信网络的到来,无线通信系统对射频功率放大器的线性度要求越发严苛。因此,如何提高功率放大器的线性度是当前亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种功率放大器及电子设备,以解决相关技术中功率放大器线性度低的问题。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种功率放大器,包括:功率放大电路和线性度补偿电路;
所述线性度补偿电路连接在所述功率放大电路的偏置电路与晶体管放大电路之间,用于对所述功率放大电路的非线性失真进行线性补偿。
上述方案中,所述晶体管放大电路包括:场效应管放大电路或三极管放大电路。
上述方案中,所述晶体管放大电路为场效应管放大电路,所述线性度补偿电路包括:第一场效应管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一场效应管的栅极连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接所述偏置电路,所述第一场效应管的源极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端接地,所述第一电容与所述第一电阻并联,所述第一场效应管的漏极连接所述第三电容的第一端,所述第三电容的第二端连接所述场效应管放大电路,所述第二电容的第一端连接所述第一场效应管的栅极,所述第二电容的第二端接地。
上述方案中,所述场效应管放大电路为多级场效应管放大电路,所述第三电容的第二端连接所述多级场效应管放大电路中驱动级的场效应管的栅极。
上述方案中,每个所述场效应管由至少两个并联的子场效应管构成。
上述方案中,所述场效应管包括以下任意一种:LDMOS管、SOI管、CMOS管、同质BJT管或异质BJT管。
上述方案中,所述晶体管放大电路包括三极管放大电路。
第二方面,本发明实施例提供了一种电子设备,所述电子设备包括上述方案中的功率放大器。
上述方案中,所述功率放大器包括:功率放大电路和线性度补偿电路;
所述线性度补偿电路连接在所述功率放大电路的偏置电路与晶体管放大电路之间,用于对所述功率放大电路的非线性失真进行线性补偿。
上述方案中,所述晶体管放大电路包括:场效应管放大电路或三极管放大电路。
上述方案中,所述晶体管放大电路为场效应管放大电路,所述线性度补偿电路包括:第一场效应管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一场效应管的栅极连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接所述偏置电路,所述第一场效应管的源极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端接地,所述第一电容与所述第一电阻并联,所述第一场效应管的漏极连接所述第三电容的第一端,所述第三电容的第二端连接所述场效应管放大电路,所述第二电容的第一端连接所述第一场效应管的栅极,所述第二电容的第二端接地。
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