[发明专利]一种基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，其方法步骤如下：

步骤(1)、通过调整硝酸银(AgNO₃)、醋酸铟(In(Ac)₃)和乙酰丙酮镓的三种比例，可以制得三种无镉环保的AgInGaS₂量子点核；

步骤(2)、在步骤(1)AgInGaS₂量子点核的基础上制备ZnS壳，得到AgInGaS₂/ZnS量子点；

步骤(3)、将制备得到不同发光波段的AgInGaS₂/ZnS(I-III-VI族)量子点涂覆在蓝光发光二极管芯片上制得I-III-VI族量子点白光发光二极管。

2.根据权利要求1所述的基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤（2）具体为将步骤(1)反应温度升至到120℃，分别在三种量子点核中逐滴滴加1mmol无水醋酸锌、1mmol硫(S)、1ml正十二硫醇(DDT)、2ml油胺(OAm)、3ml 1-十八稀(1-ODE)的混合溶液ZnS；反应温度保持120℃，持续20分钟，有利于ZnS屏障层的生长；再次将1mmol无水醋酸锌、1mmol硫(S)、1ml 正十二硫醇(DDT)、2ml油胺(OAm)、3ml 1-十八稀(1-ODE)的混合溶液ZnS继续保持120℃并且反应20分钟；重复三遍此步骤后将反应温度降到室温，制备得到三种发光波段的量子点。