[发明专利]发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

芯片主体；

设于所述芯片主体上的电极层；

设于所述电极层上的钝化保护层；

以及熔合保护层，所述熔合保护层位于所述电极层与所述钝化保护层之间，用于将所述钝化保护层与所述电极层进行隔离；

所述电极层与所述钝化保护层之间设有粘附层，所述粘附层用于将部分所述电极层与所述钝化保护层连接；

其中，所述粘附层位于所述熔合保护层表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电极层包括：

设于所述芯片主体上的接触层；

设于所述接触层上的反射层；

设于所述反射层上的阻挡层；

以及设于所述阻挡层上的焊线层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述钝化保护层上设有开口；

所述焊线层上与所述开口位置对应的焊线区域裸露。

4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述接触层的材料为镍。

5.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述反射层的材料为含铝元素的合金。

6.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述焊线层的材料为金。

7.根据权利要求1-6任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述电极层的侧壁延伸方向与底面之间的角度为45°-80°。

8.根据权利要求1-6任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片主体包括：

衬底；

设于所述衬底上的第一半导体层；

设于部分所述第一半导体层上的发光层；

设于所述发光层上的第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的透明导电层；

其中，所述电极层设于所述透明导电层以及所述第一半导体层上。

9.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在芯片主体上形成电极层；

在所述电极层上形成钝化保护层；

对所述电极层进行高温处理，以使所述电极层中的多层金属部分熔合，形成熔合保护层，实现所述钝化保护层与所述电极层之间的隔离。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述电极层上形成钝化保护层，包括：

在所述电极层上形成粘附层；

在所述粘附层上形成钝化保护层。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对所述电极层进行高温处理，包括：

以温度范围为200-300摄氏度的温度对所述电极层进行高温熔合处理。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在芯片主体上形成电极层，包括：

在所述芯片主体上形成接触层；

在所述接触层上形成反射层；

在所述反射层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成焊线层。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述电极层上形成钝化保护层之后，所述方法还包括：

对所述电极层上的部分钝化保护层进行刻蚀，以使所述电极层中的焊线区域裸露。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在芯片主体上形成电极层之前，所述方法还包括：

在衬底上形成第一半导体层；

在部分所述第一半导体层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二半导体层；

对所述第二半导体层以及所述发光层进行刻蚀，以使所述第一半导体层的第一区域裸露；

在所述第二半导体层的未刻蚀部分形成透明导电层，得到所述芯片主体。