[发明专利]一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备有效
申请号: | 201911015373.5 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110656318B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 陈蓉;黄奕利;曹坤;李云;邓匡举;宋光亮 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/46;C23C16/54 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模块化 密封 空间 隔离 原子 沉积 薄膜 设备 | ||
本发明属于微纳制造相关领域,并具体公开了一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备。该设备包括运动装置、喷头装置、密封装置和反应装置,其中运动装置用于带动密封装置和反应装置沿水平轨道移动,带动喷头装置沿竖直方向移动;喷头装置的密封腔与升降台连接,密封腔盖板固定在密封腔的上方,模块化喷头固定在密封腔的下方;密封装置与喷头装置密封配合;反应装置在喷头装置的下方进行往复运动,从而实现空间隔离原子层沉积。本发明通过反应装置在喷头装置下方进行往复运动,从而实现空间隔离原子层沉积,不进行原子层沉积时,密封装置移动到喷头装置的下方,对其进行密封从而保证喷头装置的真空度,以此实现模块化密封。
技术领域
本发明属于微纳制造相关领域,更具体地,涉及一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备。
背景技术
随着半导体技术的不断发展,太阳能电池板、柔性电子等多个领域对材料表面的封装要求也不断提高。ALD,即原子层沉积技术,是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。此原子层沉积工艺虽然与普通的化学沉积有相似之处,但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使得每次反应只能沉积一层原子。
ALD的应用广泛,且可获得优良的薄膜沉积质量,因此日益引起关注。然而,进一步的研究表明,该技术工艺目前面临的主要技术难题在于:首先,整个沉积效率低下,往往需要花费相当的时间,难以实现工业化,所以业界现在开始广泛的发展各式各样的空间隔离原子层沉积(SALD)技术。SALD技术是一种利用空间隔离的办法替代传统ALD使用时间隔离的办法进行ALD生长的一种技术,主要技术难点体现在要得到有效的隔离,否则两种前驱体之间就会发生交叉污染产生CVD反应,而不是设备所需要的ALD反应。
然而SALD技术发展至今仍有许多问题,一是部分发明仍未丢弃传统ALD所用的高真空腔体,其目的是为了保证沉积环境的质量,以防在常压环境下空气中的水以及其他污染物对沉积样品的影响;二是部分发明虽然抛弃了高真空腔体,但由于是在开放环境下,又没有其他手段进行保护,难以实现有效的隔离,这里的隔离包括前驱体之间的隔离,也包括空气中的杂质与反应区的隔离。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本发明提供了一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备,其中通过对重要组件如喷头装置、密封装置和反应装置的结构和布局进行设计,能够在进行空间隔离原子层沉积的同时实现模块化密封,保持喷头装置的真空度,因为尤其适用于原子层沉积的应用场合。
为实现上述目的,本发明提出了一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备,该设备包括运动装置、喷头装置、密封装置和反应装置,其中:
所述运动装置包括第一运动动子、第二运动动子、水平轨道、直线电机和升降台,所述第一运动动子和第二运动动子安装在所述水平轨道的两侧,并分别与所述密封装置和反应装置连接,工作时在所述直线电机的带动沿所述水平轨道移动,所述升降台与所述喷头装置连接,用于带动所述喷头装置沿竖直方向移动;
所述喷头装置包括密封腔、密封腔承载板、密封腔盖板、模块化喷头和喷头承载板,所述密封腔通过所述密封腔承载板与所述升降台连接,所述密封腔盖板固定在所述密封腔的上方,并通过设置的进气口和出气口与外部进行气体交换,所述模块化喷头通过所述喷头承载板固定在所述密封腔的下方,用于喷射前驱体从而完成原子层沉积;
所述密封装置位于所述水平轨道的一侧,不进行原子层沉积时,所述密封装置移动到所述喷头装置的下方,通过与所述喷头装置密封配合进而保持所述喷头装置的真空度,以此实现模块化密封,进行原子层沉积时,所述密封装置移动到所述喷头装置的外侧;
所述反应装置位于所述水平轨道的另一侧,用于放置待加工工件,进行原子层沉积时,所述反应装置在所述喷头装置的下方进行往复运动,从而实现空间隔离原子层沉积,不进行原子层沉积时,所述反应装置移动到所述喷头装置的外侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911015373.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:喷头组件、沉积设备及沉积方法
- 下一篇:加热装置及化学气相沉积系统
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的