[发明专利]用于硅片背面的抛光液添加剂、抛光液以及背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法

权利要求书

1.一种用于硅片背面的抛光液添加剂，其特征在于，按重量百分数计，所述抛光液添加剂包括：烷基三甲基氢氧化氨1～3％、磷酸钠盐0.5～2％、非离子表面活性剂2～5％和水90～96.5％。

2.根据权利要求1所述的抛光液添加剂，其特征在于，按重量百分数计，所述抛光液添加剂包括：所述烷基三甲基氢氧化氨2％、所述磷酸钠盐1～2％、所述非离子表面活性剂3～4％和所述水92～94％。

3.根据权利要求1或2所述的抛光液添加剂，其特征在于，所述烷基三甲基氢氧化氨选自十二烷基三甲基氢氧化铵和十六烷基三甲基氢氧化铵中的任一种或两者。

4.根据权利要求1或2所述的抛光液添加剂，其特征在于，所述磷酸钠盐选自三聚磷酸钠、焦磷酸钠和六偏磷酸钠中的任一种或任意多种。

5.根据权利要求1或2所述的抛光液添加剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自聚乙二醇醚和聚乙二醇中的任一者或两者。

6.一种用于硅片背面的抛光液，其特征在于，按重量百分数计，所述抛光液包括：碱类物质3～5％、权利要求1～5任一项所述的抛光液添加剂2～5％以及水90～95％。

7.根据权利要求6所述的用于硅片背面的抛光液，其特征在于，按重量百分数计，所述抛光液包括：所述碱类物质3％、所述抛光液添加剂3～5％以及所述水92～94％；可选地，所述碱类物质选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种。

8.一种背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法，其特征在于，包括：

对进行扩散制程后的硅片的背面进行酸抛以去除磷硅玻璃；

然后对所述硅片进行清洗；

利用权利要求6或7所述的抛光液对清洗后的所述硅片的背面进行碱抛。

9.根据权利要求8所述的背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法，其特征在于，碱抛步骤的温度为65～75℃；可选地，碱抛步骤的抛光时间为2～5min。

10.根据权利要求8所述的背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法，其特征在于，对所述硅片进行清洗采用的清洗液包括2～5wt％的碱和3～8wt％的双氧水；清洗步骤的温度为80～100℃。