[发明专利]有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

基底；

叠置层，位于所述基底上；

半导体层，位于所述叠置层上；

第一栅极导体，位于所述半导体层上；

第二栅极导体，位于所述第一栅极导体上；

数据导体，位于所述第二栅极导体上；

驱动晶体管，位于所述叠置层上；以及

有机发光二极管，与所述驱动晶体管连接，

其中，所述驱动晶体管包括形成在所述半导体层中的第一电极、形成在所述半导体层中的第二电极、形成在所述第一电极与所述第二电极之间的沟道以及由所述第一栅极导体形成以与所述沟道叠置的栅电极，

所述叠置层与所述驱动晶体管的所述沟道叠置，并延伸到所述第一电极以与所述第一电极的至少一部分叠置，

所述第二栅极导体包括存储线，驱动电压通过由所述数据导体形成的驱动电压线被施加到所述存储线，并且

所述叠置层接收恒定电压。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

栅极绝缘层位于所述栅电极与所述存储线之间，并且

所述栅电极和所述存储线构成存储电容器，所述存储电容器保持施加到所述栅电极的电压。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，

缓冲层设置在所述叠置层与所述半导体层之间，并且

所述叠置层和所述驱动晶体管的所述半导体层构成附加存储电容器。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述叠置层包括与所述驱动晶体管的所述沟道叠置的基体部，并且

所述基体部和所述半导体层的所述沟道构成第一附加存储电容器。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述叠置层包括与所述驱动晶体管的所述第一电极叠置的第一延伸部，并且

所述第一延伸部和所述半导体层的所述第一电极构成第二附加存储电容器。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述叠置层延伸使得在平面图中所述叠置层的左侧与包括所述驱动晶体管的所述第一电极的所述半导体层的左侧一致。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

当所述栅电极的左侧与所述叠置层的左侧之间的距离被称为第一距离时，

所述第一距离在1.0μm至4.0μm的范围内。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

与当所述叠置层不与所述驱动晶体管的所述第一电极叠置时相比，当所述叠置层形成为与所述驱动晶体管的所述第一电极叠置时，瞬时余像减少3秒或更多。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

所述叠置层和设置在与所述叠置层相邻的像素处的叠置层之间的距离在2.0μm至2.5μm的范围内。

10.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括第二晶体管和第三晶体管，

其中，所述第二晶体管连接到扫描线和数据线，以将通过所述数据线传输的数据电压传输到所述驱动晶体管的所述第一电极，

所述第三晶体管连接到所述驱动晶体管的所述栅电极和所述第二电极，以将所述数据电压传输到所述存储电容器，并且

所述叠置层还包括与所述第三晶体管的所述半导体层叠置的第二延伸部。