[发明专利]一种串并联磁路混合磁极型记忆电机在审

专利信息
申请号: 201911016390.0 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN110829652A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 阳辉;郑昊;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02K1/27 分类号: H02K1/27;H02K1/12
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 冯艳芬
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 串并联 磁路 混合 磁极 记忆 电机
【权利要求书】:

1.一种串并联磁路混合磁极型记忆电机,包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴,所述电枢绕组设置在所述定子上,所述混合永磁转子设置在所述定子内侧,所述转轴设置在所述混合永磁转子内侧,其特征在于:所述混合永磁转子的转子铁心上设有若干对磁极,每对磁极的N极处设置由一个径向充磁的第一永磁体和两个相邻切向充磁的第二永磁体构成的U形永磁结构,S极处设置一个径向充磁的第三永磁体,所述第一永磁体靠转轴放置,所述第三永磁体靠气隙侧放置,所述第一永磁体和第三永磁体的矫顽力大于第二永磁体的矫顽力。

2.根据权利要求1所述的串并联磁路混合磁极型记忆电机,其特征在于:每对磁极的N极处的第一永磁体和相邻两侧第二永磁体构成的U形永磁结构呈并联磁路关系,S极处的第三永磁体和相邻两侧的N极处的第二永磁体构成串联磁路结构。

3.根据权利要求1所述的串并联磁路混合磁极型记忆电机,其特征在于:同一磁极下的两个第二永磁体均沿切向充磁,方向相反;第一永磁体和相邻磁极的第三永磁体均沿径向充磁,方向相反。

4.根据权利要求1所述的串并联磁路混合磁极型记忆电机,其特征在于:所述U形永磁结构数量为偶数个,所述第三永磁体数量与U形永磁结构数量相同。

5.根据权利要求1所述的串并联磁路混合磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一永磁体和第三永磁体均为钕铁硼永磁体,所述第二永磁体为铝镍钴永磁体。

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