[发明专利]有机发光器件和包括该有机发光器件的显示装置在审
申请号: | 201911016948.5 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN111463352A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 金瑟雍;内城强;裵晟洙;李东赞 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 包括 显示装置 | ||
1.一种有机发光器件,所述有机发光器件包括:
第一电极;
第二电极;以及
有机层,位于所述第一电极与所述第二电极之间,
其中,所述有机层包括发射层,
所述发射层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物,
所述第一化合物由式1表示,
所述第二化合物由式2表示,
所述第三化合物由式3表示,并且
所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同:
<式1>
(Y11)c11-(L11)a11-(Y12)c12
<式2>
(Y21)c21-(L21)a21-(Y22)c22
<式3>
<式1A>
其中,在式1至式3、式1A、式2A和式2B中,
L11选自于:贫π电子无氮环基团;以及
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的贫π电子无氮环基团,
a11选自于0、1、2和3,
Y11是由式1A表示的基团,
Y12选自于:
C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q1)(Q2)(Q3);
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的贫π电子无氮环基团;以及
被以下基团取代的贫π电子无氮环基团:取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q21)(Q22)(Q23)中选择的至少一者的贫π电子无氮环基团,
c11和c12均独立地选自于1、2和3,
X11选自于单键、C(R13)(R14)、N(R13)、O和S,
X12选自于单键、C(R15)(R16)、N(R15)、O和S,
X11和X12不均为单键,
A11和A12均独立地为贫π电子无氮环基团,
R11至R16均独立地选自于:
结合位、氢、氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q1)(Q2)(Q3);
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的贫π电子无氮环基团;以及
被以下基团取代的贫π电子无氮环基团:取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子无氮环基团和-Si(Q21)(Q22)(Q23)中选择的至少一者的贫π电子无氮环基团,其中,从R11至R13和R15中选择的一个是结合位,
b11和b12均独立地选自于1、2、3、4、5和6,
L21选自于:
贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团;以及
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团,
a21选自于0、1、2和3,
Y21是由式2A或式2B表示的基团,
Y22选自于:
-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q1)(Q2)(Q3);
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团;以及
均被选自于以下基团中的至少一者取代的贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团:均取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q21)(Q22)(Q23)中选择的至少一者的贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团,
c21和c22均独立地选自于1、2、3、4、5和6,
A21选自于C5-C60碳环基和C1-C60杂环基,
X21选自于C(R21)和N,X22选自于C(R22)和N,X23选自于C(R23)和N,X24选自于C(R24)和N,X25选自于C(R25)和N,X26选自于C(R26)和N,X27选自于C(R27)和N,X28选自于C(R28)和N,并且X29选自于C(R29)和N,其中,从X21至X25中选择的至少一个是N,并且从X26至X29中选择的至少一个是N,
R21至R30均独立地选自于:
氢、氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q1)(Q2)(Q3);
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团;以及
均被选自于以下基团中的至少一者取代的贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团:均取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子含氮环基团、贫π电子无氮环基团和-Si(Q21)(Q22)(Q23)中选择的至少一者的贫π电子含氮环基团和贫π电子无氮环基团,其中,R21至R25可选择地连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基,并且R26至R30可选择地连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基,
b30选自于1、2、3、4、5、6、7、8、9和10,
X31选自于B和N,并且X32和X33均独立地选自于B(R34)、N(R34)、O、S、C(R34)(R35)和Si(R34)(R35),其中,当X31为B时,X32和X33均独立地选自于N(R34)、O、S、C(R34)(R35)和Si(R34)(R35),并且当X31为N时,X32和X33均独立地选自于B(R34)、O、S、C(R34)(R35)和Si(R34)(R35),
A31至A33均独立地选自于C5-C60碳环基和C1-C60杂环基,
L31至L33均独立地选自于取代或未取代的C5-C60碳环基和取代或未取代的C1-C60杂环基,
a31至a33均独立地选自于0、1、2和3,
R31至R35均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),并且R31至R33可选择地连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基,
b31至b33均独立地选自于1、2、3、4、5、6、7、8、9和10,
c31至c33均独立地选自于1、2、3、4、5和6,
Q1至Q3、Q21至Q23以及Q31至Q33均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基,并且
*表示与相邻原子的结合位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择