[发明专利]超宽带光谱探测装置和方法

权利要求书

1.一种超宽带光谱探测装置，其特征在于，所述装置包括基底以及设置在所述基底上的至少一个探测单元；其中，

所述探测单元包括设置在所述基底上的沟道材料层以及间隔设置在所述沟道材料层上的两个金属电极；所述沟道材料层为晶体HfTe5层；

所述两个金属电极包括源极电极和漏极电极；

所述两个金属电极分别与所述沟道材料层的纵向方向的两端进行欧姆接触，所述金属电极与所述沟道材料层形成异质结；并且，

在所述基底上设置有避让槽，所述探测单元悬空架设在所述避让槽上；

所述基底在沿所述探测单元的纵向方向上的截面呈U形结构；

所述两个金属电极的材质不同和/或所述两个金属电极与所述沟道材料层的接触面积不同和/或所述两个金属电极的厚度不同。

2.如权利要求1所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，

在所述沟道材料层远离所述基底的一侧沉积有栅介质层，在所述栅介质层位于所述沟道材料层的中间位置沉积有金属栅极；

所述金属栅极和所述源极电极分别与外部天线连接，所述漏极通过金属线引出。

3.如权利要求2所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，

所述栅介质层的厚度大于所述两个金属电极的厚度，所述栅介质层覆盖在所述两个金属电极上。

4.如权利要求1所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，

在所述沟道材料层远离所述基底的一侧沉积有栅介质层，在所述栅介质层位于所述沟道材料层的中间位置沉积有金属栅极；

所述金属栅极和所述漏极电极分别与外部天线连接，所述源极电极通过金属线引出。

5.如权利要求1所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，

所述探测单元呈规则线阵或面阵排布设置在所述基底上。

6.如权利要求1所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，还设置有遮光层；其中，

所述遮光层设置在所述探测单元远离待检测光源一侧的金属电极上。

7.如权利要求1至6任一项所述的超宽带光谱探测装置，其特征在于，

所述金属电极为金、银、铂、锢、锡、铬中的一种或至少两种的组合。

8.一种超宽带光谱探测方法，其特征在于，利用如权利要求1至7任一项所述的超宽带光谱探测装置对待检测光源进行探测。