[发明专利]一种半导体材料的触头制作方法

权利要求书

1.一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3-5min，取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；

S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800-1200℃，取出钝化后的基板在通入氮气的真空环境下自然冷却；

S3.在触头区内设置金属片，在真空箱中将金属片焊接在基板上，然后将金属片进行击穿处理并形成触头，同时将多个触头之间进行电连接；

S4.在触头上设置一层掩膜，制作钝化层靶材，利用化学沉淀法在基板表面形成第二层钝化层，其中靶材由以下重量份成分组成：氮化铝20-30份、氮化硅30-50份、三氧化钨10-30份与二氧化钛15-25份；

S5.待半导体材料恢复至室温之后，对半导体材料的触头进行测试，分析半导体材料的相关运行参数，对触头的性能进行评估。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材制作步骤如下：

1)按照比例准备好氮化铝、氮化硅、三氧化钨与二氧化钛，将氮化铝、氮化硅、三氧化钨与二氧化钛置于混合装置中混合均匀；

2)将混合物取出对其进行煅烧，然后依次进行压块和烧结,得到陶瓷靶材，其中烧结的温度为800-1000℃，烧结时间为2-6小时。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝20份、氮化硅30份、三氧化钨10份与二氧化钛15份。

4.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝25份、氮化硅40份、三氧化钨20份与二氧化钛20份。

5.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝30份、氮化硅50份、三氧化钨30份与二氧化钛25份。