[发明专利]过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法在审
| 申请号： | 201911017694.9 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110724858A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 胡钊华 | 申请（专利权）人： | 成都先进金属材料产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/03;B22D1/00;B22D7/00 |
| 代理公司： | 51124 成都虹桥专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 610306 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市青白江区*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过共晶铝硅合金 铝硅合金熔体 半固态浆料 机械滚筒 预热 坯料 制备 制备技术领域 熔化 半固态金属 半固态坯料 铝合金铸造 金属铸锭 铝硅合金 稀土元素 析出 共晶硅 扒渣 调温 烘干 浇注 流变 内壁 细化 涂抹 精炼 稀土 涂料 凝固 注射 变质 | ||
1.过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，所述硅铝合金中Si含量的质量百分比为13～18％，其特征在于：包括如下步骤：
a、将铝硅合金预热，熔化，搅拌，第一次静置，搅拌并扒渣，第二次静置，调整铝硅合金熔体的温度高于铝硅合金液相线温度50～80℃；
b、将预热干燥后的稀土元素加入至步骤a第二次静置后的铝硅合金熔体中，待稀土元素熔化后，搅拌，第一次静置，降温，精炼，搅拌并扒渣，第二次静置，调整铝硅合金熔体的温度高于液相线温度30～60℃；
c、将铝合金铸造涂料涂抹于机械滚筒内壁上，烘干，预热；
d、将步骤b所得铝硅合金熔体通过定量浇注系统注射进入机械滚筒中，搅拌，得过共晶铝硅合金半固态浆料；
e、将所述过共晶铝硅合金半固态浆料浇注进入金属铸锭模，凝固后即得过共晶铝硅合金半固态坯料。
2.根据权利要求1所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述铝硅合金的液相线温度为590～700℃。
3.根据权利要求1或2所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述稀土元素为镧或铈中的至少一种。
4.根据权利要求1～3任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：所述稀土元素占铝硅合金熔体的重量百分比为0.1～5wt％。
5.根据权利要求1～4任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述预热的温度为150～250℃。
6.根据权利要求1～5任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤a中满足以下至少一项：
所述搅拌的温度为670～750℃；
所述第一次静置的时间为10～15min；
所述第二次静置的时间为10～20min。
7.根据权利要求1～6任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤b中满足以下至少一项：
所述搅拌的温度为670～750℃；
所述第一次静置的时间为10～15min；
所述精炼的温度为680～720℃，精炼的时间为10～15min；
所述第二次静置的时间为10～20min。
8.根据权利要求1～7任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述预热的温度为200～300℃。
9.根据权利要求1～8任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤d中，所述机械滚筒相对水平地面倾斜角度为10～70℃。
10.根据权利要求1～9任一项所述的过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法，其特征在于：步骤d中，所述机械滚筒的搅拌速度为10～500r/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进金属材料产业技术研究院有限公司，未经成都先进金属材料产业技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911017694.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
