[发明专利]一种半导体材料的表面钝化方法

权利要求书

1.一种半导体材料的表面钝化方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.准备好HCl溶液，将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15-30min，然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗，清洗干净之后，将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理；

S2.将半导体材料置于高温炉中，调节高温炉内的温度在1000-1200℃范围内，在半导体材料的表面形成热氧化膜，然后利用氮气对半导体材料进行冷却；

S3.准备好HF溶液，将形成有热氧化膜的半导体材料用HF溶液浸泡，浸泡时间为10-20min，去除半导体材料表面的热氧化膜，然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗，清洗干净之后，利用氮气对半导体材料进行干燥处理；

S4.将半导体材料置于真空装置中，然后在半导体材料表面喷洒正硅酸乙酯，然后调节真空装置中的温度在600-800℃范围内，在半导体材料的表层形成第一层二氧化硅钝化层；

S5.准备氮化硅、碳化硅与硫化锌，将三者充分混合，然后对其进行烧结制成靶材，再利用溅射法对半导体材料进行处理，在半导体材料上形成第二层钝化层；

S6.最后在第二层钝化层上制备一层低温二氧化硅介质膜，得到第三层钝化层，在制备第三层钝化层的过程中，通入少量的HCl气体。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料的表面钝化方法，其特征在于：所述HCl溶液的浓度为10-20％，所述HF溶液的浓度为15-25％。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料的表面钝化方法，其特征在于：所述氮化硅、碳化硅与硫化锌的摩尔比为0.6:0.3:0.1，所述氮化硅、碳化硅与硫化锌混合物的烧结温度为400-600℃。