[发明专利]一种半导体热电材料的制造方法在审
| 申请号： | 201911017845.0 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110767797A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 闫一方 | 申请（专利权）人： | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/18;C22C12/00;B22D18/02 |
| 代理公司： | 11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王志敏 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体热电材料 锑粉 钛粉 铋粉 锆粉 挤压成型 热电材料 添加剂 高温半导体 成型模具 挤压设备 搅拌装置 真空环境 制作过程 炉中 熔浆 制造 生产 | ||
1.一种半导体热电材料的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.按照比例选取钛粉、锆粉、铋粉与锑粉，然后将钛粉、锆粉、铋粉与锑粉在搅拌装置中搅拌均匀；
S2.将钛粉、锆粉、铋粉与锑粉投入到铸浆炉中进行高温铸浆，在铸浆过程中加入适量的添加剂；
S3.铸浆完成之后，将熔浆置于成型模具中，利用挤压设备对其进行挤压成型，挤压成型过程在真空环境中进行，成型完毕之后，往真空环境中通入氮气，对成型的块状物进行风冷；
S4.待块状物冷却到室温之后，取出并将其送入到烧结炉中进行最终烧结处理，烧结完毕之后取出冷却即得半导体热电材料。
2.根据权利要求1所述的一种半导体热电材料的制造方法，其特征在于：所述铸浆炉的铸浆温度为1500-2000℃，铸浆时间为3-5小时。
3.根据权利要求1所述的一种半导体热电材料的制造方法，其特征在于：所述钛粉、锆粉、铋粉与锑粉由以下重量比组成：钛粉10-12份、锆粉15-25份、铋粉20-30份、锑粉22-28份。
4.根据权利要求1所述的一种半导体热电材料的制造方法，其特征在于：所述添加剂为硼酸、柠檬酸、柠檬酸钠、氯化钠、氯化锑、硫脲与酒石酸组成，且添加剂成分的重量比如下：硼酸1-2份、柠檬酸1.5-2.5份、柠檬酸钠2-3份、氯化钠2-2.4份、氯化锑3-4份、硫脲0.02-0.04份、酒石酸0.2-0.3份。
5.根据权利要求1所述的一种半导体热电材料的制造方法，其特征在于：所述烧结的温度为600-800℃，烧结时间为6-8小时。
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