[发明专利]射频开关滤波器组件和半导体器件

说明书

本发明涉及射频技术领域，提供了射频开关滤波器组件和半导体器件。该射频开关滤波器组件包括：基板；开关控制电路，集成在所述基板的第一表面上；多个FBAR滤波器，集成在所述基板的第一表面上，且均与所述开关控制电路连接；各个FBAR滤波器的工作频率不全相同或各不相同；其中，所述开关控制电路用于选择控制其中一个FBAR滤波器位于工作状态。上述射频开关滤波器组件的开关控制电路选择控制其中一个FBAR滤波器位于工作状态，其他FBAR滤波器不工作，从而能够实现多种频率的选择，具有多频率选择性、较高Q值和低损耗等优点。

技术领域

本发明属于射频技术领域，尤其涉及射频开关滤波器组件和半导体器件。

背景技术

当前的主流射频开关滤波器方案中，传统开关滤波组件体积大成本高， MMIC片上集成开关滤波器，虽然体积较小但是Q值受限，以上滤波器均无法满足小型化、频率选择性的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了射频开关滤波器组件和半导体器件，以解决现有滤波器无法满足小型化、高频率的问题。

本发明实施例第一方面提供了一种射频开关滤波器组件，包括：

基板；

开关控制电路，集成在所述基板的第一表面上；

多个FBAR滤波器，集成在所述基板的第一表面上，且均与所述开关控制电路连接；各个FBAR滤波器的工作频率不全相同或各不相同；

其中，所述开关控制电路用于选择控制其中一个FBAR滤波器位于工作状态。

可选的，每个所述FBAR滤波器中均包括至少一个谐振器，所述谐振器包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。

可选的，所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。

可选的，所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

可选的，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；

所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。

可选的，所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。

可选的，所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。

可选的，所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；

所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。

可选的，所述基板为砷化镓基板，所述多个FBAR滤波器通过片上植球工艺集成在所述基板上，所述开关控制电路通过MMIC技术集成在所述基板上。

本发明实施例第二方面提供了半导体器件，包括本发明实施例第一方面中的任一种射频开关滤波器组件。