[发明专利]存储器设备及其操作方法

说明书

本公开涉及存储器设备及其操作方法。例如，一种存储器设备包括具有多个存储器单元的页以及执行至少一个编程循环的外围电路。至少一个编程循环包括：编程电压施加阶段，用于在编程操作期间向与多个存储器单元耦合的字线施加编程电压；以及编程验证阶段，用于确定多个存储器单元中的所选存储器单元是否已被完全编程。存储器设备包括控制外围电路的控制逻辑，以执行以下操作：执行向字线施加辅助验证电压的辅助验证操作；执行向字线施加大于辅助验证电压的主验证电压的主验证操作，并且基于通过执行辅助验证操作和主验证操作获得的验证数据，确定编程操作的失败。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2019年3月5日提交的韩国专利申请号10-2019-0025345的优先权，其全部公开通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地，涉及存储器设备及其操作方法。

背景技术

存储设备是被配置为在主机设备(诸如计算机、智能电话或智能板)的控制下存储数据的设备。存储设备包括被配置为将数据存储在磁盘(诸如硬盘驱动器(HDD))上的设备以及被配置为将数据存储在半导体存储器(即，非易失性存储器，诸如固态驱动器(SSD)或存储卡)中的设备。

存储设备可包括被配置为存储数据的存储器设备以及被配置为控制存储器设备的存储控制器。存储器设备分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。非易失性存储器设备可以是只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

实施例提供了一种存储器设备以及该存储器设备的操作方法，该存储器设备被配置为在编程验证阶段将编程操作处理为失败，以便防止不可纠正的ECC(UECC)失败。

根据本公开的一个方面，一种存储器设备包括具有多个存储器单元的页以及被配置为执行至少一个编程循环的外围电路。至少一个编程循环包括：编程电压施加阶段，用于在编程操作期间向与多个存储器单元耦合的字线施加编程电压；以及编程验证阶段，用于确定多个存储器单元中的所选存储器单元是否已被完全编程。存储器设备还包括被配置为控制外围电路的控制逻辑，以执行如下操作：在编程验证阶段执行向字线施加辅助验证电压的辅助验证操作；在编程验证阶段执行向字线施加大于辅助验证电压的主验证电压的主验证操作；以及基于通过执行辅助验证操作和主验证操作获得的验证数据来确定编程操作的失败。

根据本公开的另一方面，一种用于操作具有多个页的存储器设备的方法，该方法包括执行至少一个编程循环，该至少一个编程循环包括用于在编程操作期间向与多个存储器单元耦合的字线施加编程电压的编程电压施加阶段以及用于确定多个存储器单元中的所选存储器单元是否已被完全编程的编程验证阶段。该方法还包括：在编程验证阶段期间执行向字线施加辅助验证电压的辅助验证操作；以及在编程验证阶段期间执行向字线施加大于辅助验证电压的主验证电压的主验证操作。该方法还包括基于通过执行辅助验证操作和主验证操作获得的验证数据来确定编程操作的失败。

附图说明

下面参考附图详细描述示例性实施例；然而，它们可以不同的形式具体化，并且不应限于本文所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本领域技术人员能够使用本公开。

在附图中，为了说明清楚，尺寸可能被夸大。应当理解，当一个元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。相似的参考标号在整个说明书中表示相似的元件。

图1是示出存储设备的框图。

图2是示出图1所示的存储器设备的结构的框图。

图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施例的示图。