[发明专利]一种应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜，其特征在于：

所述复合光学薄膜由增透膜与亲和膜共同组成，所述亲和膜夹在增透薄膜和多碱光电阴极之间；

所述增透膜的材料是TiO₂薄膜，厚度30nm～340nm；

所述亲和膜的材料是HfO₂薄膜，厚度5nm～20nm。

2.根据权利要求1所述的应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜，其特征在于：

所述增透膜的厚度为223nm。

3.根据权利要求1或2所述的应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜，其特征在于：

所述亲和膜的厚度为13nm。

4.一种应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

首先，在硼硅玻璃窗基底上制作复合光学薄膜，分二步：先在玻璃基底上制作TiO₂增透膜，再在增透膜的基础上制作HfO₂亲和膜；

然后，以具有复合光学薄膜的硼硅玻璃窗衬底制作多碱光电阴极，并将所述的具有复合光学薄膜的多碱光电阴极封装；

最后，测试所述的具有复合光学薄膜的多碱光电阴极的灵敏度及光谱响应曲线是否满足相比于直接在玻璃窗上利用蒸镀法制作的多碱光电阴极能够有效提高阴极灵敏度的要求，若满足要求则完成制备。

5.根据权利要求4所述的应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜的制备方法，其特征在于：

所述制作TiO₂增透膜和制作HfO₂亲和膜的制作方法采用原子层沉积法。

6.根据权利要求5所述的应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜的制备方法，其特征在于，所述的在玻璃基底上制作TiO₂增透膜步骤具体为：

采用TiCl₄和H₂O分别作为Ti和O的前躯体源，使用高纯度的氮气作为运载气体， TiO₂薄膜的ALD脉冲每个周期的沉积顺序为TiCl₄脉冲时间0.2s ，吹扫时间5s，H₂O 脉冲时间0.2s，吹扫时间5s，总周期数为4300，原子层沉积腔室温度为220℃。

7.根据权利要求5所述的应用于多碱光电阴极的复合光学薄膜的制备方法，其特征在于，所述的在增透膜的基础上制作HfO₂亲和膜步骤具体为：

采用四甲乙胺铪和H₂O分别作为Hf和O的前躯体源，使用高纯度的氮气作为运载气体，HfO₂薄膜的ALD脉冲每个周期的沉积顺序为四甲乙胺铪脉冲时间1.4 s，吹扫时间5s，H₂O脉冲时间 0.2 s，吹扫时间5s，总周期数为100，原子层沉积腔室温度为220℃；实测TiO₂增透膜厚度为d=223nm，HfO₂亲和膜厚度为13nm。