[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201911020298.1 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110828514B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,设有晶体管区和非晶体管区;
有源层,设于所述基板上并位于所述晶体管区;
第一绝缘层,设于所述基板以及所述有源层上;
第一栅极层,设于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧,且在所述非晶体管区内的所述第一栅极层上设有一第一氧化层;
第二绝缘层,设于所述第一氧化层以及所述第一绝缘层上;
第二栅极层,设于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧,且在所述非晶体管区内的所述第二栅极层上设有一第二氧化层;
第三绝缘层,设于所述第二氧化层以及所述第二绝缘层上,具有一第一通孔以及一第二通孔,所述第一通孔延伸至所述第二绝缘层;
源漏极金属层,设于所述第三绝缘层远离所述第二绝缘层的一侧;
其中,所述源漏极金属层通过所述第一通孔连接所述第一氧化层,所述源漏极金属层通过所述第二通孔连接所述第二氧化层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一氧化层对应所述第一通孔;
所述第二氧化层对应所述第二通孔处。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括
所述第一氧化层在所述第一通孔处的厚度小于所述第一氧化层在非所述第一通孔处的厚度;
所述第二氧化层在所述第二通孔处的厚度小于所述第二氧化层在非所述第二通孔处的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一氧化层的材料为二氧化钛;
所述第二氧化层的材料为二氧化钛。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极层以及所述第二栅极层均包括:
第二金属层;
第三金属层,设于所述第二金属层的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极层以及所述第二栅极层均还包括:
第一金属层,所述第二金属层设于所述第一金属层上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一金属层的材料为钛;
所述第二金属层的材料为铝;
所述第三金属层的材料为钛。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第三绝缘层还包括第三通孔,所述第三通孔贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一绝缘层,所述源漏极金属层通过所述第三通孔连接所述有源层。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板设有晶体管区和非晶体管区;
沉积一有源层于所述基板上的晶体管区内;
沉积一第一绝缘层于所述基板以及所述有源层上;
沉积一第一栅极层于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧;
沉积一第二绝缘层于所述第一栅极层以及所述第一绝缘层上;
沉积一第二栅极层于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧;
沉积一第三绝缘层于所述第二栅极层以及所述第二绝缘层上;
在非晶体管区内形成一第一通孔以及一第二通孔于所述第三绝缘层上,所述第一通孔贯穿所述第三绝缘层以及部分所述第二绝缘层直至所述第一栅极层的表面,所述第二通孔贯穿部分所述第三绝缘层直至所述第二栅极层的表面;
高温退火在非晶体管区内所述第一通孔处的所述第一栅极层形成一第一氧化层,高温退火在非晶体管区内所述第二通孔处的所述第二栅极层形成一第二氧化层;
沉积一源漏极金属层于所述第三绝缘层上,所述源漏极金属层通过所述第一通孔连接所述第一氧化层,所述源漏极金属层通过所述第二通孔连接所述第二氧化层。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板设有晶体管区和非晶体管区;
沉积一有源层于所述基板上的晶体管区内;
沉积一第一绝缘层于所述基板以及所述有源层上;
沉积一第一栅极层于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧;
高温退火在非晶体管区内所述第一栅极层远离所述基板的一侧形成一第一氧化层;
沉积一第二绝缘层于所述第一氧化层以及所述第一绝缘层上;
沉积一第二栅极层于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧;
高温退火在非晶体管区内所述第二栅极层远离所述第二绝缘层的一侧形成一第二氧化层;
沉积一第三绝缘层于所述第二氧化层以及所述第二绝缘层上;
形成一第一通孔以及一第二通孔于所述第三绝缘层上,所述第一通孔贯穿所述第三绝缘层、部分所述第二绝缘层直至所述第一栅极层以及部分所述第一氧化层,所述第二通孔贯穿部分所述第三绝缘层以及部分所述第二氧化层;
沉积一源漏极金属层于所述第三绝缘层上,所述源漏极金属层通过所述第一通孔连接所述第一氧化层,所述源漏极金属层通过所述第二通孔连接所述第二氧化层;
高温退火所述第一通孔处的所述第一氧化层,高温退火所述第二通孔处的所述第二氧化层。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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