[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板；第一栅极绝缘层，设于所述衬底基板上，所述第一栅极绝缘层中具有凹槽；栅极层，设于所述第一栅极绝缘层的所述凹槽中；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层和所述栅极层上；有源层，设于所述第二栅极绝缘层上。本发明提供一种阵列基板及其制备方法，栅极绝缘层分成两个步骤制备，能够降低现有技术中一步制备带来的台阶覆盖性较差的风险，其中第二栅极绝缘层的厚度与阵列基板的电学特性相关，通过控制第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层的厚度比例，能够确保阵列基板开态电流不会降低，降低面板充电率不足的风险。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。阵列基板(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开光装置和驱动装置用在诸如LCD、OLED。

随着显示面板的分辨率升高和尺寸的增大，“信号延迟”现象将更加严重，降低布线电阻成为一项迫切的需求。铜(Cu)的导电性仅次于银(Ag)，而且原材料价格低廉，被认为是最有希望的低电阻率布线材料，现有技术中已有使用铜作为TFT的栅电极的材料。

在高世代液晶面板中，铜材料作为栅极金属线因其阻抗低、抗电迁移能力强等优点使得代替传统的铝材料成为趋势。随着面板尺寸的增大、分辨率的提高，一般的的铜导线厚度越来越难以解决电路延迟等问题，增加铜导线厚度成为解决问题的方向之一。

伴随铜导线厚度的增加，因台阶覆盖性问题，在栅极结构中将铜膜层厚度增加会导致栅极绝缘层的厚度增加，这会降低阵列基板的开态电流，面板充电率不足的风险提高。

因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板的制备方法，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种阵列基板，其能够解决现有技术中显示面板中栅极结构铜膜厚度增加带来的栅极绝缘层厚度增加的问题。

为实现上述目的，本发明一种阵列基板，包括：衬底基板；第一栅极绝缘层，设于所述衬底基板上，所述第一栅极绝缘层中具有凹槽；栅极层，设于所述第一栅极绝缘层的所述凹槽中；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层和所述栅极层上；有源层，设于所述第二栅极绝缘层上。

进一步的，在其他实施方式中，其中其还包括源漏极层，设于所述有源层上；平坦层，设于所述源漏极层上；像素定义层，设于所述平坦层上。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述栅极层采用的材料为铜金属，所述栅极层的厚度范围为200nm～5000nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料采用氧化氮或氧化硅或氮化硅中的任意一种或两种以上，所述第一栅极绝缘层的厚度范围为100nm～500nm，所述第二栅极绝缘层的厚度范围为100nm～500nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述有源层的材料采用氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锌镓中的任意一种或两种以上，所述有源层的厚度范围为100nm～200nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述平坦层的材料采用氧化硅或氮化硅，所述平坦层的厚度为150nm～400nm，所述像素电极层的材料采用氧化铟锡，所述像素电极层的厚度为30nm～100nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述衬底基板的材料采用聚醯亚胺。