[发明专利]制备柔性传感器的方法有效
申请号: | 201911021075.7 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110739233B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 吴志鸿;杨柏儒 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 柔性 传感器 方法 | ||
本公开提供了一种制备柔性传感器的方法,直接利用胶带作为传感器的基材,通过卷对卷工艺将电极和功能层转印到胶带上,从而可以大规模、大面积、高精度、高效率地制备柔性传感器。
技术领域
本公开涉及柔性传感器领域,更具体地,涉及一种制备柔性传感器的方法。
背景技术
由于柔性电子器件可弯折、且适合用于溶液态制成,并且有灵敏度高的特性,在可穿戴式传感器的应用中得到了广泛的研究。柔性传感器通常由在柔性衬底上的电极和半导体功能层组成。将电极和半导体功能层分别形成在柔性衬底上的工艺通常是复杂的。
对于大规模、大面积、高精度、高效率制备柔性传感器的方法,仍存在着改进的需要。
发明内容
本公开提供了一种制备柔性传感器的方法,其特征在于,所述方法包括:
以卷到卷方式从衬底出卷辊向衬底收卷辊提供胶带,所述胶带具有第一粘弹性表面;
以卷到卷的方式从第一电极层支持层出卷辊向第一电极层支持层收卷辊提供第一电极层支持层,离开所述第一电极层支持层出卷辊的所述第一电极层支持层上支持有第一电极层,其中在第一电极层转印对辊处,使所述胶带的所述第一粘弹性表面与所述第一电极层接触,以将所述第一电极层从所述第一电极层支持层转印到所述胶带的所述第一粘弹性表面上;
以卷到卷的方式从半导体功能层出卷辊向半导体功能层支持层收卷辊提供半导体功能层支持层,离开所述半导体功能层支持层出卷辊的所述半导体功能层支持层上支持有半导体功能层,其中在半导体功能层转印对辊处,使所述胶带的所述第一粘弹性表面与所述半导体功能层接触,以将所述半导体功能层从所述半导体功能层支持层转印到所述胶带的所述第一粘弹性表面上。
可选地,所述胶带还具有与所述第一粘弹性表面相反的第二粘弹性表面。
可选地,所述胶带是光学透明胶带。
可选地,所述第一电极层是图案化的纳米银膜。
可选地,所述第一粘弹性表面在通过所述第一电极层转印对辊前经过等离子表面处理。
可选地,所述半导体功能层是由CdS或ZnO制成的。
可选地,所述半导体功能层是图案化的纳米线。
可选地,所述半导体功能层是电子墨水胶囊块微阵列。
可选地,所述方法还包括:以卷到卷的方式从第二电极层支持层出卷辊向第二电极层支持层收卷辊提供第二电极层支持层,离开所述第二电极层支持层出卷辊的所述第二电极层支持层上支持有第二电极层,在第二电极层转印对辊处,使所述胶带的所述第一粘弹性表面与所述第二电极层接触,以将所述第二电极层从所述第二电极层支持层转印到所述胶带的所述第一粘弹性表面上。
可选地,所述方法还包括:在以卷到卷的方式从保护层出卷辊向所述衬底收卷辊提供保护层,其中在所述胶带到达所述衬底收卷辊之前,在保护层覆盖对辊处,将所述保护层贴附到所述第一粘弹性表面上。
附图说明
图1是本公开的一个实施方案的示意图。
图2示意性示出了转印电子墨水胶囊块微阵列。
图3是本公开的另一个实施方案的示意图。
具体实施方式
为了解决前述问题,本公开提供了一种制备柔性传感器的方法,其特征在于,所述方法包括:
以卷到卷方式从衬底出卷辊向衬底收卷辊提供胶带,所述胶带具有第一粘弹性表面;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911021075.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造