[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法及装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一基板，所述第一基板包括载体源极和载体漏极；

在所述第一基板上形成有源层；

在所述有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极层；

在所述栅极层的表面形成第二基板得到前体；

翻转所述前体，使所述第一基板的底面外露于所述有源层上；

图案化所述第一基板，使所述第一基板包括分离的所述载体源极和所述载体漏极，且所述有源层局部显露于所述载体源极和所述载体漏极之间。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一基板为金属箔，所述有源层为石墨烯层，所述制作方法包括：

使用化学气相沉积法在所述金属箔上生长石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，图案化所述金属箔，包括：

在所述金属箔的所述底面涂布光阻层，曝光、显影以后进行等离子体干刻处理得到分离的所述载体源极和所述载体漏极。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述石墨烯层的膜厚为0.3-0.8nm。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述金属箔为铜箔或镍箔；

可选地，所述金属箔的膜厚为5nm-200μm；

可选地，所述金属箔的膜厚为10nm-100μm；

可选地，所述金属箔的膜厚为20nm-50μm。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述栅绝缘层的表面形成栅极层，包括：

将碳系导电油墨形成在所述栅绝缘层的表面，热固化所述碳系导电油墨以后得到所述栅极层。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，由如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制备得到。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板包括分离的载体源极和载体漏极；

有源层，所述有源层形成在所述第一基板上；

栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述有源层上；

栅极层，所述栅极层形成在所述栅绝缘层上；

第二基板，所述第二基板形成在所述栅极层上，且所述第二基板用于翻转后承载所述栅极层；

其中，所述载体源极和所述载体漏极对应于所述第一基板且外露于所述有源层上，并且所述有源层局部显露于所述载体源极与所述载体漏极之间。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一基板为金属箔，所述有源层为石墨烯层；

所述石墨烯层由化学气相沉积法在所述金属箔上生长得到。

10.一种装置，其特征在于，包括一种如权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管。