[发明专利]半导体元件的形成方法在审
| 申请号： | 201911021403.3 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128735A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;刘昌淼;尚慧玲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：
在一基板上方形成一虚设栅极结构；
分别在该虚设栅极结构的相对侧壁上形成多个栅极间隔物，所述多个栅极间隔物具有一第一介电常数；
移除该虚设栅极结构以在所述多个栅极间隔物之间形成一栅极沟槽；
形成一掺杂物来源层以垫在该栅极沟槽中；
退火该掺杂物来源层以使k值降低杂质从该掺杂物来源层扩散到所述多个栅极间隔物中，以将所述多个栅极间隔物的该第一介电常数降低到一第二介电常数；以及
在该栅极沟槽中形成一替代栅极堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
