[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压。接着，为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给。接着，为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压。由此，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置在对基片进行的等离子体蚀刻中使用。等离子体处理装置具有腔室和基片支承台。基片支承台具有下部电极，并且设置在腔室内。当执行等离子体蚀刻时，基片被载置在基片支承台上。并且，在腔室内能够从气体生成等离子体。基片被来自等离子体的正离子蚀刻。其结果是，在基片形成开口。

当利用正离子进行基片的蚀刻时，基片带电。在基片带电的状态下，向开口的内部去的正离子的供给量减少。其结果是，可能减少蚀刻速率。或者，在基片带电的状态下，在基片形成的开口的形状可能产生异常。

为了使基片的正电荷量减少，在专利文献1记载的技术中，从电源向下部电极施加正极性的直流电压。接着，停止向下部电极施加直流电压。然后，从电源向下部电极施加负极性的直流电压。其结果是，正离子被引入到基片来进行蚀刻。之后，停止对下部电极的直流电压的施加。在专利文献1所记载的技术中，反复进行对下部电极施加正极性的直流电压、停止对下部电极施加直流电压、对下部电极施加负极性的直流电压、和停止对下部电极施加直流电压。用于生成等离子体的高频电力，在反复进行对下部电极施加正极性的直流电压、停止对下部电极施加直流电压、对下部电极施加负极性的直流电压、和停止对下部电极施加直流电压时被连续地供给。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-79886号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

在等离子体蚀刻中，谋求使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。

用于解决问题的技术手段

在一个例示的实施方式中，提供一种使用等离子体处理装置来执行的蚀刻方法。该蚀刻方法在基片被载置于基片支承台上的状态下执行，该基片支承台设置在该等离子体处理装置的腔室内。蚀刻方法包括为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力的步骤。蚀刻方法还包括为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压的步骤。蚀刻方法还包括为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给的步骤。蚀刻方法还包括为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压的步骤。

发明效果

依据一个例示的实施方式，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是概略地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图3是与图1所示的蚀刻方法相关联的一例的时序图。

图4中的(a)是表示图3的时序图的期间P1中的等离子体和基片的状态的图，图4中的(b)是表示图3的时序图的期间P2中的等离子体和基片的状态的图。