[发明专利]一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。

2.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度为5-6nm。

3.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极为叉指电极。

4.根据权利要求3所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极中，Ti金属层的厚度为25-35nm，Ni金属层的厚度为90～110nm，Au金属层的厚度为90～110nm。

5.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，所述第二GaSe功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的Si衬底GaSe可见光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1在Si衬底上先采用低温PLD方法生长第一GaSe功能层，再采用高温PLD方法生长第二层GaSe功能层，并采用AFM分析样品表面形貌；

S2在第二GaSe功能层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理，确定电极形状，并通过蒸镀工艺将Ti/Ni/Au金属层电极蒸镀在第二GaSe功能层上表面的两端。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用低温PLD方法生长第一GaSe功能层的温度为440-460℃，脉冲能量为0.46～0.50J/cm²，生长时间为25～45min。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用高温PLD方法生长第二GaSe功能层的温度为840～860℃，脉冲能量为0.42～0.54J/cm²，生长时间为25～45min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，烘干时间为38～45s，曝光时间为5～8s，显影时间为40～45s，氧离子处理时间为1.5～2.5min。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，第一GaSe功能层的生长时间为30min。