[发明专利]一种Si衬底MoS在审

专利信息
申请号: 201911022500.4 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN110690313A 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L31/102 分类号: H01L31/102;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 王东东
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功能层 金属层电极 近红外光 上表面 衬底 近红外光探测器 反射损耗 高灵敏度 谐振吸收 高带宽 纳米级 制备 探测
【权利要求书】:

1.一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,从下到上依次包括Si衬底、MoS2功能层及Ni/Au金属层电极,所述Ni/Au金属层电极位于MoS2功能层上表面的两端,所述MoS2功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,所述MoS2功能层的厚度为10~12nm。

3.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,所述Ni/Au金属层电极为叉指电极。

4.根据权利要求3所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,Ni/Au金属层电极中Ni金属层的厚度为95~105nm,Au金属层的厚度为95~105nm。

5.一种如权利要求1-4任一项所述Si衬底MoS2近红外光探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1在Si衬底上采用PLD低温外延方法生长MoS2功能层,所述PLD低温外延方法生长MoS2功能层的温度为440~460℃,激光能量为0.46~0.50J/cm2,生长时间为40~60min;

S2在MoS2功能层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理,确定电极形状,并通过蒸镀工艺将Ni/Au金属层电极蒸镀在MoS2功能层上表面的两端。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述S2中,烘干时间为42~48s,曝光时间为4~7s,显影时间为44~49s,氧离子处理时间为2.5~3.5min。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,先蒸镀Ni金属层再蒸镀Au金属层。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,电极的蒸镀速率为0.17~0.21nm/min。

9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述生长时间为40min。

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