[发明专利]一种Si衬底MoS

权利要求书

1.一种Si衬底MoS₂近红外光探测器,其特征在于，从下到上依次包括Si衬底、MoS₂功能层及Ni/Au金属层电极，所述Ni/Au金属层电极位于MoS₂功能层上表面的两端，所述MoS₂功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS₂近红外光探测器,其特征在于，所述MoS₂功能层的厚度为10～12nm。

3.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS₂近红外光探测器,其特征在于，所述Ni/Au金属层电极为叉指电极。

4.根据权利要求3所述的一种Si衬底MoS₂近红外光探测器,其特征在于，Ni/Au金属层电极中Ni金属层的厚度为95～105nm，Au金属层的厚度为95～105nm。

5.一种如权利要求1-4任一项所述Si衬底MoS₂近红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1在Si衬底上采用PLD低温外延方法生长MoS₂功能层，所述PLD低温外延方法生长MoS₂功能层的温度为440～460℃，激光能量为0.46～0.50J/cm²，生长时间为40～60min；

S2在MoS₂功能层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理，确定电极形状，并通过蒸镀工艺将Ni/Au金属层电极蒸镀在MoS₂功能层上表面的两端。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述S2中，烘干时间为42～48s，曝光时间为4～7s，显影时间为44～49s，氧离子处理时间为2.5～3.5min。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，先蒸镀Ni金属层再蒸镀Au金属层。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，电极的蒸镀速率为0.17～0.21nm/min。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述生长时间为40min。