[发明专利]一种Si衬底MoS在审
申请号: | 201911022500.4 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110690313A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王东东 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能层 金属层电极 近红外光 上表面 衬底 近红外光探测器 反射损耗 高灵敏度 谐振吸收 高带宽 纳米级 制备 探测 | ||
1.一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,从下到上依次包括Si衬底、MoS2功能层及Ni/Au金属层电极,所述Ni/Au金属层电极位于MoS2功能层上表面的两端,所述MoS2功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,所述MoS2功能层的厚度为10~12nm。
3.根据权利要求1所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,所述Ni/Au金属层电极为叉指电极。
4.根据权利要求3所述的一种Si衬底MoS2近红外光探测器,其特征在于,Ni/Au金属层电极中Ni金属层的厚度为95~105nm,Au金属层的厚度为95~105nm。
5.一种如权利要求1-4任一项所述Si衬底MoS2近红外光探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1在Si衬底上采用PLD低温外延方法生长MoS2功能层,所述PLD低温外延方法生长MoS2功能层的温度为440~460℃,激光能量为0.46~0.50J/cm2,生长时间为40~60min;
S2在MoS2功能层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理,确定电极形状,并通过蒸镀工艺将Ni/Au金属层电极蒸镀在MoS2功能层上表面的两端。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述S2中,烘干时间为42~48s,曝光时间为4~7s,显影时间为44~49s,氧离子处理时间为2.5~3.5min。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,先蒸镀Ni金属层再蒸镀Au金属层。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,电极的蒸镀速率为0.17~0.21nm/min。
9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述生长时间为40min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的