[发明专利]用于制造含Nb3

权利要求书

1.用于制造含Nb₃Sn的超导体线材(33)的单芯线(100)，

所述单芯线(100)包括：

粉末芯(1)，所述粉末芯包含含Sn的粉末，

由Nb合金制成的反应管(3)，所述反应管包含Nb和至少一个另外的合金组分X，

所述粉末芯(1)设置在反应管(3)的内部，

此外，在单芯线(100)中还包含用于至少一个配合组分Pk的至少一个源(4)，

各源(4)在单芯线(100)中在统一的径向位置处包括一个或多个源结构；

这样来选择所述至少一个另外的合金组分X和配合组分Pk，即，在单芯线(100)的反应性退火时，所述至少一个另外的合金组分X和配合组分Pk能够形成析出物XPk，而来自粉末芯(1)的Sn和来自反应管(3)的Nb反应生成Nb₃Sn，

其特征在于，

所述粉末芯(1)设置在缓释管(2)中，并且所述缓释管(2)设置在反应管(3)的内部。

2.根据权利要求1所述的单芯线(100)，其特征在于，在单芯线(100)中包括至少两个设置在不同径向位置处的用于所述至少一个配合组分Pk的源(4)。

3.根据权利要求1或2所述的单芯线(100)，其特征在于，所述缓释管(2)全部或部分地由Cu或Cu合金或Ag或Ag合金或Sn或Sn合金或Nb或Nb合金制成。

4.根据权利要求1或2所述的单芯线(100)，其特征在于，所述源(4)包括粉末。

5.根据权利要求1或2所述的单芯线(100)，其特征在于，所述源(4)包括包含在粉末芯(1)中的粉末。

6.根据权利要求5所述的单芯线(100)，其特征在于，包括包含在粉末芯(1)中的粉末的所述源(4)包含氧作为配合组分Pk，并且所述缓释管(2)由Cu或Cu合金制成。

7.根据权利要求5所述的单芯线(100)，其特征在于，缓释管(2)的壁厚WM用下式选择：

WM≤0.075×DP和/或WM≤0.2×WR，

DP：粉末芯(1)的直径，而WR：反应管(3)的壁厚。

8.根据权利要求5所述的单芯线(100)，其特征在于，粉末芯(1)包含Cu、Ag和/或Sn。

9.根据权利要求1或2所述的单芯线(100)，其特征在于，所述源(4)包括环状源，所述缓释管(2)沿径向设置在环状源的内部。

10.根据权利要求9所述的单芯线(100)，其特征在于，所述环状源包括环绕的粉末层(6)中的粉末。

11.根据权利要求9所述的单芯线(100)，其特征在于，所述环状源包括环状设置的源管(14)或源袋(12)的粉末填充物(13)中的粉末，所述源袋(12)在单芯线(100)的与所述环状源相邻的结构中构成。

12.根据权利要求10所述的单芯线(100)，其特征在于，所述粉末层(6)包含金属粉末。

13.根据权利要求9所述的单芯线(100)，其特征在于，所述环状源包括单芯线(100)的与环状源相邻的结构的环绕涂层(10)。

14.根据权利要求9所述的单芯线(100)，其特征在于，所述反应管(3)沿径向设置在环状源的内部。

15.根据权利要求14所述的单芯线(100)，其特征在于，所述单芯线(100)包括附加反应管(9)，所述附加反应管(9)包含Nb，并且环状源沿径向设置在附加反应管(9)的内部。