[发明专利]一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911025005.9 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110655668B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陆赵情;黄吉振;司联蒙;俄松峰;李娇阳;金崭凡 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L77/10;C08K7/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 磷灰石 纳米 anf 复合 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将羟基磷灰石纳米线超声分散在溶剂中，得到均匀的乳白色溶液，作为体系一；
步骤2、将体系一与ANF溶液混合，搅拌，得到均匀乳白色溶液，作为体系二；
步骤3、将体系二与水混合，搅拌至ANF纤维均匀分散在溶液中，得到体系三；
步骤4、将体系三，采用真空抽滤方式，层层组装，得到所述的羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜；
所述羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的断裂强度为28-104Mpa，耐介电强度为10-50Kv/mm；
所述羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜用于制作绝缘阻燃材料。
2.根据权利要求1所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，溶剂采用水或二甲基亚砜。
3.根据权利要求1所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，超声分散的功率为600-800W，超声分散的时间为0.5-1h。
4.根据权利要求1所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，体系一与ANF溶液按体积比为1:(0.5-2)的比例混合；其中，体系一中羟基磷灰石纳米线的质量百分数为0.2％-0.5％，ANF溶液中ANF浓度为0.2-0.5g/L。
5.根据权利要求1所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，体系二与水按体积比为1:(1-3)的比例混合。
6.根据权利要求1所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，羟基磷灰石纳米线采用直径为5-100纳米、长度为5-100μm的羟基磷灰石纳米线。
7.一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜，其特征在于，利用权利要求1-6任意一项所述的一种羟基磷灰石纳米线/ANF复合薄膜的制备方法制备得到。
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