[发明专利]防尘薄膜组件的剥离方法及防尘薄膜组件的剥离装置在审

专利信息
申请号: 201911025180.8 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN111103756A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 滨田裕一 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 防尘 薄膜 组件 剥离 方法 装置
【说明书】:

发明提供一种防尘薄膜组件的剥离方法及防尘薄膜组件的剥离装置,将以粘着层(14)粘着于曝光原板(1)的防尘薄膜组件(10)从曝光原板(1)剥离;该组件(10)具有:防尘薄膜(12),通过防尘薄膜用接着剂(13)张设于防尘薄膜框架(11)的一侧的端面;粘着层(14),设置于防尘薄膜框架(11)的另一侧的端面。在设置于防尘薄膜框架外侧面的治具孔(30)插入防尘薄膜框架支持销(21),使支持销(21)朝向粘着层(14)从曝光原板(1)剥离的方向移动,此时,测量作用在支持销(21)的剥离力,并在进行控制以使该剥离力降至最小的状况下,将组件(10)从曝光原板(1)剥离。由此,可在将防尘薄膜组件从曝光原板剥离时,减少残留于曝光原板上的残渣,并可在柔和的清洗条件下实施曝光原板的再清洗。

技术领域

本发明关于作为制造LSI(Large Scale Integration,大型集成电路)、超LSI等半导体装置或液晶显示板时的光刻用遮罩的防尘器而使用的防尘薄膜组件的剥离方法及防尘薄膜组件的剥离装置。

背景技术

在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板等时,将曝光原板重叠于半导体晶圆或液晶基板的光致抗蚀剂涂布面,并照射平行光而将潜影图案形成于光致抗蚀剂。此时,若尘埃附着于曝光原板,则此尘埃会吸收光线或会使光线弯曲,因此,除了会造成转印后的图案变形、边缘粗糙外,还会使基底脏污,而产生损害到尺寸、品质、外观的问题。又,本发明中,所谓“曝光原板”,是指光刻用遮罩及倍缩遮罩的总称。

因此,虽然光刻作业通常在无尘室进行,但尽管如此也难以总是保持洁净,故采取贴附防尘薄膜组件的方法;该防尘薄膜组件具有在曝光原板的图案面作为防尘器使用的能使曝光用的光线良好地通过的防尘薄膜。

防尘薄膜组件是一种曝光原板用防尘保护盖体,其具有:防尘薄膜框架(框体);防尘薄膜,张设于防尘薄膜框架的上端面;粘着层,设置于防尘薄膜框架的下端面;以及衬垫,以保护粘着层为目的;该防尘薄膜组件以其粘着层粘附于曝光原板的图案面。

当将防尘薄膜组件贴附于曝光原板的图案面时,防尘薄膜组件位于包围图案区域的位置,并以防尘薄膜组件外部的尘埃不会附着的方式,将图案区域与防尘薄膜组件外部在厚度方向上分离;尘埃以不会直接附着于曝光原板表面上的方式,附着于防尘薄膜上。只要在光刻时将焦点对准至曝光原板的图案上,防尘薄膜上的尘埃并不会对转印产生影响。

在将防尘薄膜组件粘附至曝光原板时,通常通过专用的装置或是冶具进行。不论使用何种装置进行,基本上动作共通,是在调整完防尘薄膜组件与曝光原板相互的位置关系后,再将防尘薄膜框架与曝光原板平行地加压一定时间,由此,粘附防尘薄膜组件。

此外,近年,LSI的设计规范朝向线宽在分季微米(0.25微米以下)的微细化演进,伴随于此,曝光光源亦朝向短波长化演进。具体而言,是从迄今为止作为主流的水银灯具的发光频谱亦即g线(436nm)、i线(365nm),逐渐转变为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2激光(157nm)等。线宽朝向微细化演进的结果,有可能在粘附有防尘薄膜组件的曝光原板的图案面产生的异物或雾霭(Haze)所容许的大小也日趋严格。

又,近年所使用的遮罩基板的膜,为了顺应设计规范的微细化,在相移遮罩(Phase-Shifting Mask:PSM)中一般普遍开始采用相移膜。相移膜非常脆弱,在过度的遮罩清洗下,有受到损坏的可能。又,相移遮罩是一种曝光原板,其附加相移膜而控制通过此部分的光的相位或透射系数,由此改善对于晶圆的曝光时的解析度或焦点深度(DOF:Depthof Focus),而使转印特性提高。

粘附至曝光原板后的防尘薄膜组件,在因某种原因而有异物或雾霭产生时,或在防尘薄膜受到损坏时,若需要重新贴附,不得不先将其剥离。又,需进行称为“更新防尘薄膜组件”的作业,亦即,将剥离防尘薄膜组件后的曝光原板再清洗,并将新的防尘薄膜组件重新贴附。

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