[发明专利]一种仿真方法和装置及可读存储介质

权利要求书

1.一种仿真方法，用于在SPICE仿真系统中建立电阻模块的仿真模型，其特征在于，所述仿真方法包括：

S1：获取所述电阻模块的仿真模型，所述仿真模型包括第一电阻、第二电阻、第一寄生二极管、第二寄生二极管以及修正电路，所述第一电阻与所述第二电阻用于仿真所述电阻模块的阻值，所述第一寄生二极管以及所述第二寄生二极管用于仿真所述电阻模块的N埋层对P阱的寄生二极管，所述修正电路用于仿真所述电阻模块的电阻衬偏效应，所述修正电路包括第一修正电阻、第二修正电阻、第一电压源以及第二电压源，其中：

所述第一修正电阻、所述第一电阻、所述第二电阻和所述第二修正电阻顺次串联连接，并组成一串联电路；

所述第一电压源与所述第一修正电阻并联连接，所述第二电压源与所述第二修正电阻并联连接；

所述第一寄生二极管与所述第二寄生二极管分别与所述串联电路的两端连接；

S2：获取所述电阻模块的仿真参数；

S3：基于所述仿真模型和所述仿真参数进行SPICE仿真。

2.如权利要求1所述的一种仿真方法，其特征在于，所述S2中：所述仿真参数包括第一修正系数、第二修正系数以及第三修正系数；

所述第一修正系数为所述电阻模块的衬偏电压的一阶电压修正系数，所述第二修正系数为所述电阻模块的衬偏电压的二阶电压修正系数，所述第三修正系数为所述电阻模块的衬偏电压随电阻宽度变化的修正系数；

所述第一修正系数、所述第二修正系数以及所述第三修正系数通过拟合调试获取。

3.如权利要求2所述的一种仿真方法，其特征在于，所述电阻模块为P阱电阻，所述P阱电阻具有第一端口、第二端口以及第三端口，所述第一端口为所述P阱电阻的高压偏置端口，所述第二端口为所述P阱电阻的低压偏置端口，所述第三端口为所述P阱电阻的N型隔离端口；

所述第一电压源的电压值满足：

ex₁＝(1+p₁*max(abs(v(3,1)),abs(v(3,2)))*(1-p₃/w²)+p₂*max(abs(v(3,1)),abs(v(3,

2)))²*(1-p₃/w²)*(1-p₃/w²))

其中，ex₁为所述第一电压源的电压值，p₁为所述第一修正系数，p₂为所述第二修正系数，p₃为所述第三修正系数，w为P阱在所述P阱电阻的版图的宽度，v(3,1)为所述第三端口与所述第一端口的电压差，v(3,2)为所述第三端口与所述第二端口的电压差。

4.如权利要求3所述的一种仿真方法，其特征在于，所述第二电压源的电压值与所述第一电压源的电压值相等。

5.如权利要求2所述的一种仿真方法，其特征在于，在SPICE仿真系统中对比所述电阻模块的实测数据和仿真数据，拟合调试所述第一修正系数、所述第二修正系数以及所述第三修正系数以使得仿真数据与实测数据对应相等。

6.如权利要求1所述的一种仿真方法，其特征在于，根据所述电阻模块的偏置电压大小调整所述第一修正电阻以及所述第二修正电阻的值。