[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

半导体基板，具有晶格区以及虚设区，且所述虚设区围绕所述晶格区；

多个存储柱状结构，位于所述半导体基板的所述晶格区上方；以及

支撑层，位于所述半导体基板上方，连接所述些存储柱状结构，且具有位于所述晶格区上方的多个第一开口形状以及多个第二开口形状，其中第一数量的所述多个存储柱状结构围绕每一个所述第一开口形状，第二数量的所述多个存储柱状结构围绕每一个所述第二开口形状，所述第一数量的所述多个存储柱状结构不同于所述第二数量的所述多个存储柱状结构，且所述多个第一开口形状的至少一个以及所述多个第二开口形状的至少一个位于所述晶格区的一中心部分上方。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含多个虚设柱状结构，位于所述半导体基板的所述虚设区上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一开口形状具有相同的形状，且所述多个第二开口形状具有相同的形状。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一开口形状以及所述多个第二开口形状在第一方向上交错设置。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一开口形状或所述多个第二开口形状在第二方向上重复设置。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一数量的所述多个存储柱状结构小于所述第二数量的所述多个存储柱状结构。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一数量的所述多个存储柱状结构为三个，且所述第二数量的所述多个存储柱状结构为四个。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一数量的所述多个存储柱状结构为三个，且所述第二数量的所述多个存储柱状结构为五个。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一数量的所述多个存储柱状结构为四个，且所述第二数量的所述多个存储柱状结构为五个。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

层间介电层，位于所述半导体基板上；以及

多个导电结构，位于所述层间介电层中，其中所述多个存储柱状结构分别位于所述多个导电结构上。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述多个存储柱状结构分别对齐所述多个导电结构。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述多个存储柱状结构分别接触所述多个导电结构的顶面。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每一个所述存储柱状结构包含水平部以及垂直部，且所述垂直部围绕所述水平部。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

顶部电极层，位于所述多个存储柱状结构以及所述支撑层上方，其中所述多个存储柱状结构的所述多个垂直部围绕部分的所述顶部电极层。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每一个所述存储柱状结构为具有U型剖面的底部电极层。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

第一介电层，沿所述支撑层以及所述多个存储柱状结构设置；以及

顶部电极层，位于所述第一介电层上方。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，还包含第二介电层，位于所述第一介电层与所述层间介电层之间。