[发明专利]形成氧化物结构的方法在审
| 申请号： | 201911025940.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111354676A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李东根;李殷廷;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 氧化物 结构 方法 | ||
1.一种形成氧化物结构的方法，其特征在于，包括：
在衬底的顶面上形成第一组沟槽；以及
对所述基板进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：
在基板上形成非晶层；
氧化所述非晶层；
去除所述非晶层的一部分以形成衬里层，其中所述非晶层的厚度比所述衬里层的厚大；以及
在所述衬里层上形成电介质衬垫层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底的顶表面上形成第二组沟槽，
其中，所述第一组沟槽的底部与所述衬底的顶表面的距离大于所述第二组沟槽的底部与所述衬底的顶表面的距离，
其中，所述第一组沟槽的开口的宽度大于所述第二组沟槽的开口的宽度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，所述第一组沟槽和所述第二组沟槽同时形成。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第二组沟槽之后重复前述表面处理过程。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述非晶层的厚度为至少
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述衬里层的厚度小于
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述非晶层的厚度是所述衬里层的厚度的约3至5倍。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中氧化所述非晶层包括通过使用氧气(O2)的干式氧化来氧化所述非晶层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中氧化所述非晶层包括使用水(H2O)通过湿式氧化来氧化所述非晶层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中去除所述非晶层的所述部分以形成所述衬里层包括使用氟化氢(HF)溶液蚀刻所述非晶层的氧化部分以形成所述衬里层。
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