[发明专利]发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法

说明书

本发明提供了一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法，通过在衬底上形成若干个呈阵列分布的凹槽，各相邻所述凹槽形成凸起台面，并在各凹槽底面及凸起台面生长芯粒，从而使芯粒形成上下错位，进而能较为简单地实现所述凹槽及凸起台面的芯粒的分离，使所述凹槽的芯粒保留在所述衬底上，所述凸起台面的芯粒转移至所述转移基板上发光二极管芯片的巨量转移；同时，该发光二极管芯片的结构，能同时满足不同色系的发光二极管的巨量转移；最后，通过各凹槽的侧壁设置保护胶，能进一步使位于凹槽底面的芯粒在巨量转移过程中不被损坏，从而提高产品的良率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及其制作方法。

背景技术

Micro-LED发展成未来显示技术的热点之一，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术：巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光烧触等。

传统巨量转移微型LED的方法是通过基板接合(Wafer Bonding)将微型元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微型元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为“间接转移”。此方法包含两次接合/剥离的步骤。在间接转移中，转置头可将位于中间承载基板上的部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。

但现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术，工艺复杂且成本较高。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法，以解决现有技术中直接转移或间接转移的巨量转移技术的工艺复杂且成本较高的问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种发光二极管芯片，包括：

衬底，所述衬底表面设有若干个呈阵列分布的凹槽，各相邻所述凹槽形成凸起台面，所述凸起台面的表面设有一分离层；

若干个分别位于凹槽底面及凸起台面的芯粒，各所述芯粒包括沿所述衬底表面依次堆叠的第一型导电层、有源层和第二型导电层，层叠于所述第一型导电层局部区域的第一电极，及层叠于所述第二型导电层表面的第二电极。

优选地，还包括与所述凸起台面的芯粒表面黏结的粘附膜层。

优选地，各所述凹槽的侧壁为斜侧壁。

优选地，所述各所述凹槽的侧壁倾斜角度为45°。

优选地，各所述凹槽的侧壁黏附有保护胶。

优选地，所述保护胶的上表面低于所述凸起台面的上表面。

优选地，所述分离层包括激光剥离层或腐蚀截止层。

本发明还提供一种发光二极管芯片的制作方法，用于制作上述发光二极管芯片，包括：

步骤S1、提供一衬底，并在衬底表面通过压印工艺，形成若干个呈阵列分布且具有斜侧壁的凹槽，各相邻所述凹槽形成凸起台面；

步骤S2、在各所述凸起台面的表面生长一分离层；

步骤S3、生长发光外延结构，所述发光外延结构包括沿所述衬底表面依次堆叠的第一型导电层、有源层和第二型导电层；

步骤S4、在所述第一型导电层的局部区域制作第一电极，及在所述第二型导电层的表面制作第二电极；